2024-2025年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)趨勢(shì)白皮書(shū).pdf
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- 時(shí)間：2025/05/27
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2024-2025年全球存儲(chǔ)市場(chǎng)趨勢(shì)白皮書(shū)。3D NAND通過(guò)橫向拓展和垂直堆疊以及架構(gòu)優(yōu)化，持續(xù)改善存儲(chǔ)密度。尤其在人工智能、大數(shù)據(jù)和云存儲(chǔ)等應(yīng)用場(chǎng)景，高密度NAND Flash憑借其高性能、低功耗及更優(yōu)的成本等綜合優(yōu)勢(shì)，為高性能運(yùn)算提供重要的存力支持。在消費(fèi)類市場(chǎng)，高密度存儲(chǔ)順應(yīng)電子元器件輕薄化趨勢(shì)，為智能手機(jī)和筆電提供了更薄更輕量化的設(shè)計(jì)支持，推動(dòng)多折疊手機(jī)及超輕量筆電的發(fā)展。
隨著NAND Flash進(jìn)入200層以上超高層時(shí)代，高縱比刻蝕和沉積的工藝復(fù)雜性增加。即便在雙堆棧架構(gòu)下，單次也需要刻蝕更深的孔，高層NAND Flash發(fā)展面臨著高層數(shù)易錯(cuò)位和溝道刻蝕偏離的挑戰(zhàn)，并且隨著多品硅通道總電阻增加，通道高度也對(duì)讀取電流構(gòu)成了阻礙。因此，越來(lái)越多存儲(chǔ)原廠不再一味追求垂直堆疊的高層NAND，而是通過(guò)橫向拓展多層存儲(chǔ)孔密度、邏輯拓展單元存儲(chǔ)比特，以及采用雙晶圓鍵合架構(gòu)，整體實(shí)現(xiàn)更優(yōu)的NAND存儲(chǔ)密度和讀寫(xiě)性能。
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