存儲行業(yè)系列報告：AI大模型引爆需求，存儲行業(yè)站上新一輪成長周期.pdf

存儲行業(yè)系列報告：AI大模型引爆需求，存儲行業(yè)站上新一輪成長周期。存儲器是半導體產(chǎn)業(yè)規(guī)模最大的分支之一，目前供應仍以美、日、韓大廠主導：根據(jù)世界半導體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS) 的統(tǒng)計，2024年，全球半導體市場銷售額約6305.49億美元，其中，邏輯電路銷售額約為2157.68億美元，存儲芯片銷售額約為1655.16億美元。根據(jù)閃存市場數(shù)據(jù)顯示，2024年第四季度全球NAND Flash市場規(guī)模為174.1億美元，環(huán)比減少8.5%，同比增長42.4%。在這一領域，排名前五的企業(yè)分別是三星、SK海力士、鎧俠、美光和西部數(shù)據(jù)，這五家企業(yè)共占據(jù)了全球92.7%的市場份額。2024年第四季度全球DRAM市場規(guī)模攀升至293.45億美元，環(huán)比增長13.5%，同比增幅高達66.1%。在這一細分領域，三星、SK 海力士、美光、南亞和華邦占據(jù)前五，五家企業(yè)合計市場份額達95.7%。

AI推動HBM火爆，DRAM持續(xù)邁入3D時代：chatGPT的爆火和AGI的繁榮，除了推動了AI芯片需求暴增，也推動了HBM的爆火。根據(jù)Yole Group發(fā)布的市場與技術分析報告：《Status of theMemoryIndustry2025》顯示，在AI工作負載激增和行業(yè)戰(zhàn)略性轉向HBM（高帶寬內(nèi)存）的背景下，全球內(nèi)存市場強勢復蘇，HBM市場將在2030年前保持33%的年復合增長率，屆時其營收將超過DRAM市場總營收的50%。

NAND合約價預計季增，1000層時代將至：根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查，NANDFlash市場歷經(jīng)2025年上半年的減產(chǎn)與庫存去化，供需失衡情況已明顯改善。隨著原廠轉移產(chǎn)能至高毛利產(chǎn)品，市場流通供給量縮減。需求面則有企業(yè)加碼AI投資，以及NVIDIA（英偉達）新一代Blackwell芯片大量出貨支撐。展望第三季NAND Flash價格走勢，預估平均合約價將季增5%至10%。根據(jù)2024年06月21日華爾街見聞報道，鎧俠在首爾舉行的IWM 2024會議上概述了1,000 層3D NAND的技術路線圖，3DNAND1000層時代將至。