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天岳先進（688234）研究報告：SiC襯底龍頭廠商，開啟導電型襯底新市場。天岳先進是我國 SiC 襯底龍頭企業。公司成立于 2010 年，主營產品包括半絕緣型 Si C 襯底、導電型 SiC 襯底，目前已具備 2/4/6 寸 SiC 襯底量產能力，8 英寸 SiC 襯底 研發進展順利，全流程技術自主可控。公司營收由 2018 年的 1.36 億元增長到 2021 年 4.94 億元，CACR 為 38%，其中主營占比最大的半絕緣型 SiC 襯底業務，2020 年 市場份額全球第三。導電型襯底項目預計 2026 年 100%投產，隨著新能源車和光伏 市場的發展有望成為最大業務增量。

新能源汽車等下游產業鏈應用爆發，SiC 襯底供不應求。（1）SiC 襯底特點：SiC 具 有禁帶寬度大，擊穿電場高、熱導率高、電子飽和率高等優勢，其器件能夠在高壓、 高頻率、高溫場景下運行且降低功耗。但 SiC 自身特性決定了其生長速度慢、良率 低，因此 SiC 襯底成本居高不下，成本降低會帶來更高的市場滲透率。（2）下游需 求：SiC 襯底應用于新能源汽車、5G 基站、工業等領域。由于 SiC 器件能滿足新能 源車更長行駛里程、更短充電時間和更輕量化等需求，車廠迎來 SiC 器件上車潮，市 場前景明確。預計 2026 年國內新能源汽車 SiC 功率半導體市場規模達 193.6 億元， 將帶動導電型襯底需求的大規模爆發。而半絕緣型 SiC 襯底受益于通信、國防軍事領 域高需求，市場規模穩健增長。（3）供給：美日歐廠商主導 SiC 襯底市場，半絕緣型 SiC 襯底市場呈現 wolfspeed、貳陸、天岳先進三足鼎立局面，而導電型 SiC 襯底則 由 wolfspeed 一家獨大。在產能方面，國內廠商積極布局，但受限于技術、良率等原 因，量產能力有限，SiC 有效產能遠遠不足。

公司厚積薄發：技術積累帶來良率提升，6 寸導電型襯底加速擴產滿足下游需求。 （1）良率提升、設備國產化帶來毛利率增長。半絕緣型襯底單位成本不斷下降，帶 來毛利率快速上升，目前毛利率已達到國際龍頭水平。成本下降一方面來源于公司持 續投入高研發費用，技術工藝不斷提升，良率實現增長。21 年 H1 晶棒和襯底良率分 別為 49.9%和 75.5%。另一方面，公司 SiC 襯底生長的核心設備長晶爐已實現國產替 代，設備折舊率下降。（2）半絕緣型襯底已成為全球主要供應商，客戶結構穩定。公 司半絕緣性襯底市場份額全球前三，產品性能達到國際先進的水準，在國內較早實現 了 SiC 襯底的批量供應，與大客戶已有長達十年的穩固合作關系，客戶資源優勢且關 系穩定。（3）導電型襯底產能大幅提升，擁抱新能源市場。公司順應下游產業鏈需 求，產能不斷提升，在建的臨港項目主要用于生產 6 英寸導電型 SiC 襯底材料，預計 2026 年達產后產能將超過 30 萬片/年。目前公司 6 英寸導電型 SiC 襯底已獲多家客 戶驗證通過，22 年開始批量供應，在手訂單充足。受益于下游新能源汽車及光伏行業 景氣度旺盛，導電型產品有望成為未來業務最大增量。