北方華創(chuàng)研究報(bào)告：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備平臺(tái)型企業(yè)，充分受益國(guó)產(chǎn)替代浪潮.pdf

北方華創(chuàng)研究報(bào)告：國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備平臺(tái)型企業(yè)，充分受益國(guó)產(chǎn)替代浪潮。北方華創(chuàng)是中國(guó)集成電路高端工藝裝備的龍頭企業(yè)，其持續(xù)豐富產(chǎn)品矩陣開(kāi)拓新市場(chǎng)。公 司主營(yíng)業(yè)務(wù)涵蓋電子工藝裝備和電子元器件兩大板塊，其中半導(dǎo)體設(shè)備模塊以領(lǐng)先的技術(shù) 實(shí)力、多樣化的產(chǎn)品種類和廣泛的工藝覆蓋，不斷鞏固其國(guó)內(nèi)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。公司長(zhǎng)期專注于 集成電路制造中的刻蝕、薄膜沉積等核心工藝環(huán)節(jié)，并全面布局熱處理、濕法設(shè)備等領(lǐng)域。 2025年，公司進(jìn)一步開(kāi)拓離子注入設(shè)備市場(chǎng)，并通過(guò)并購(gòu)芯源微成功切入涂膠顯影、鍵合 關(guān)鍵設(shè)備賽道，展現(xiàn)出強(qiáng)勁的戰(zhàn)略延展能力。公司營(yíng)業(yè)收入持續(xù)高速增長(zhǎng)，規(guī)模效應(yīng)不斷 釋放，2025年上半年實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入161.42億元，同比增長(zhǎng)29.51%；實(shí)現(xiàn)歸母凈利潤(rùn)32.08 億元，同比增長(zhǎng)14.97%；2020-2024年，公司營(yíng)收及歸母凈利潤(rùn)C(jī)AGR分別達(dá)48.99%和 79.88%。

半導(dǎo)體設(shè)備需求隨國(guó)產(chǎn)晶圓產(chǎn)能擴(kuò)張和先進(jìn)制程不斷突破激增，北方華創(chuàng)憑借在集成電路 制造核心工藝設(shè)備的廣泛覆蓋，有望從中充分受益并實(shí)現(xiàn)公司業(yè)績(jī)持續(xù)增長(zhǎng)。晶圓代工行 業(yè)擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃的不斷推進(jìn)為半導(dǎo)體設(shè)備的需求增長(zhǎng)保證了充足空間。中國(guó)大陸晶圓廠產(chǎn)能持 續(xù)擴(kuò)張，2024年中國(guó)12英寸晶圓產(chǎn)能預(yù)計(jì)達(dá)每月885萬(wàn)片，2025年將增至1010萬(wàn)片，約占 全球三分之一。以中芯國(guó)際、華虹半導(dǎo)體為代表的國(guó)內(nèi)企業(yè)持續(xù)擴(kuò)大28/40nm等成熟制程 產(chǎn)能。2025年，全球預(yù)計(jì)新建18座晶圓廠，中國(guó)大陸占3座，將于2026-2027年陸續(xù)量產(chǎn)。 此外，隨著半導(dǎo)體制造進(jìn)入5nm、3nm等先進(jìn)節(jié)點(diǎn)，電路尺寸逼近光刻物理極限，行業(yè)通 過(guò)分解圖形和多次刻蝕實(shí)現(xiàn)更精細(xì)結(jié)構(gòu)，大幅增加了刻蝕等工藝次數(shù)。根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn) 業(yè)協(xié)會(huì)測(cè)算，一片7nm集成電路在生產(chǎn)過(guò)程中需經(jīng)歷約140次刻蝕工藝，相比28nm制程所 需的40次，增長(zhǎng)超過(guò)2.5倍。另外，3D NAND通過(guò)垂直堆疊突破存儲(chǔ)密度限制，堆疊層數(shù) 從數(shù)十層逐步提升至300層以上，刻蝕工藝在設(shè)備中的占比持續(xù)提高，對(duì)高深寬比刻蝕能 力的要求也日益嚴(yán)苛，進(jìn)一步加大了對(duì)設(shè)備和技術(shù)能力的依賴。長(zhǎng)期來(lái)看，在晶圓廠產(chǎn)能 擴(kuò)張與先進(jìn)制程迭代的推動(dòng)下，半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)需求旺盛，相關(guān)公司有望迎來(lái)訂單與業(yè)績(jī) 的強(qiáng)勁增長(zhǎng)。

在產(chǎn)品方面，半導(dǎo)體設(shè)備是北方華創(chuàng)營(yíng)收的主要支撐，以領(lǐng)先的刻蝕與薄膜沉積設(shè)備為核 心，并平臺(tái)化布局熱處理、濕法等多類關(guān)鍵設(shè)備，構(gòu)筑其在集成電路制造領(lǐng)域的市場(chǎng)地位。 2024年，公司半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)營(yíng)收達(dá)265.78億元，占比總營(yíng)收約九成。刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，公 司已構(gòu)建覆蓋ICP、CCP、Bevel刻蝕、高選擇性刻蝕及干法去膠設(shè)備的全系列產(chǎn)品體系， 廣泛應(yīng)用于集成電路、先進(jìn)封裝和功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域。2024年公司刻蝕設(shè)備收入超80億 元，2025上半年，刻蝕設(shè)備收入超50億元。薄膜沉積設(shè)備領(lǐng)域，公司已形成了PVD、CVD、 外延、原子層沉積、電鍍和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備的全系列布局，工藝覆蓋集成電路、 功率半導(dǎo)體、硅材料和化合物半導(dǎo)體等諸多領(lǐng)域。2024年公司薄膜沉積設(shè)備收入超100億 元，2025上半年，薄膜沉積設(shè)備收入超65億元。熱處理與濕法設(shè)備方面，公司已完成立式 爐系列化、快速熱處理設(shè)備及單片、槽式設(shè)備的全面布局。其中，2024年兩類設(shè)備收入分 別超20億與10億元；2025上半年收入已超10億與5億元。2025年，為充分完善平臺(tái)化戰(zhàn)略， 公司成功切入離子注入與涂膠顯影設(shè)備新賽道，從而開(kāi)拓更廣闊的增長(zhǎng)空間。