第三代半導(dǎo)體專(zhuān)題研究報(bào)告：政策紅利，襯底破局.pdf
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第三代半導(dǎo)體大勢(shì)所趨，新能源汽車(chē)為其帶來(lái)巨大增量:第三代半導(dǎo)體材料主要分為碳化硅SiC和氮化鎵GaN，在高溫、高壓、高功率和高頻領(lǐng)域?qū)⑻娲皟纱雽?dǎo)體材料。新能源汽車(chē)為SiC的最重要下游領(lǐng)域，主要應(yīng)用包括主驅(qū)逆變器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、車(chē)載充電機(jī)和充電樁等，根據(jù)Yole數(shù)據(jù)，SiC功率器件市場(chǎng)規(guī)模將從2018年的4億美金增加到2027年172億美金，CAGR約51％。碳化硅基氮化鎵外延射頻器件將從2018年的6億美金增加到2027年的34億美金。碳化硅襯底材料市場(chǎng)規(guī)模將從2018年的1.21億美金增長(zhǎng)到2024年的11億美金，CAGR達(dá)44％目前CREE等國(guó)際大廠和國(guó)內(nèi)企業(yè)紛紛大力布局碳化硅。
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