碳化硅設備行業深度報告：多技術并行，碳化硅襯底切片設備加速國產化.pdf
- 上傳者：老*
- 時間：2023/04/26
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碳化硅設備行業深度報告：多技術并行，碳化硅襯底切片設備加速國產化。 碳化硅材料兼具高性能+低損耗優勢，晶體生長和切割是產業化瓶 頸。優勢：1）高性能：碳化硅相比硅有四大優勢：大帶隙、大載流 子漂移速率、大熱導率和大擊穿電場，做成的器件對應有四高性能： 高功率、高頻率、高溫和高電壓。2）低損耗：SiC 材料導通電阻低， 制作的器件漂移層摻雜濃度更高也更薄，相比硅基器件開關損耗和系 統損耗較低。瓶頸：晶體生長慢、工藝可控性差、擴徑難度高；碳化 硅硬度高、脆性大、化學性質穩定，切割加工難度大，造成行業多技 術路線并存的現狀，也是當前國產化進程的難點。
新能源汽車+光伏需求增長刺激產能擴張，我們測算2026年碳化硅 設備市場空間超 250 億。1）供給端：我們預計 2026 年碳化硅襯底名 義產能達 839.2 萬片，對應 251.8 億設備總市場空間，48.0 億的新增 市場空間，其中切片設備占比 14%。2）需求端：目前新能源車是導 電型碳化硅襯底最大應用領域，光伏是第二大應用市場，我們測算到 2026 年導電型碳化硅襯底合計有 455.7 萬片的新增潛在市場需求， 而我們估計導電型襯底有效產能僅為 397.3 萬片，存在 58.4 萬片的 有效產能缺口，對應約 29.2 億元設備投資空間。
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