半導(dǎo)體行業(yè)先進(jìn)封裝專(zhuān)題報(bào)告：先進(jìn)封裝助力芯片性能突破，AI浪潮催化產(chǎn)業(yè)鏈成長(zhǎng).pdf

半導(dǎo)體行業(yè)先進(jìn)封裝專(zhuān)題報(bào)告：先進(jìn)封裝助力芯片性能突破，AI浪潮催化產(chǎn)業(yè)鏈成長(zhǎng)。先進(jìn)封裝：超越摩爾定律，助力芯片性能突破。“后摩爾時(shí)代”芯片特征尺寸已接近物理尺寸極限，通過(guò)先進(jìn)封裝提升芯片整體性 能或成為趨勢(shì)。先進(jìn)封裝具有小型化、輕薄化、高密度、低功耗、功能集成的優(yōu)勢(shì)， 可廣泛應(yīng)用于 AI、高性能計(jì)算、數(shù)據(jù)中心等新興領(lǐng)域。先進(jìn)封裝包括四個(gè)關(guān)鍵要 素：凸塊（Bump）、晶圓（Wafer）、重布線層（RDL）和硅通孔（TSV）技術(shù)： Bump 聯(lián)通芯片與外部的電路，并能緩解應(yīng)力；Wafer 充當(dāng)集成電路的載體；RDL 連通 XY平面的上電路；TSV則貫通z軸方向上的電路。

CoWoS和HBM：相輔相成，AI芯片的絕佳拍檔

1）CoWoS：AI 時(shí)代的先進(jìn)封裝版本答案。算力需求隨大模型推出爆炸式提升， GPU等AI芯片深度受益。搭載硅中介層的CoWoS封裝性能優(yōu)異，適用于高性能 計(jì)算領(lǐng)域，目前已演進(jìn)五代，不斷增加其中介層面積以及內(nèi)存容量（HBM）。隨 CoWoS封裝供不應(yīng)求，臺(tái)積電不斷上修產(chǎn)能預(yù)計(jì)，2024年底或達(dá)到月產(chǎn)4萬(wàn)片。 三星和英特爾已完成2.5D/3D封裝布局，傳統(tǒng)封測(cè)大廠加速進(jìn)入CoWoS工藝段。

2）HBM：AI芯片的最佳顯存方案。HBM堆疊多層DRAM提升內(nèi)存容量和帶寬， 打破內(nèi)存墻限制，滿足AI高性能動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)需求。SK海力士官網(wǎng)、三星和美光競(jìng)爭(zhēng) 愈演愈烈，HBM向更大容量和更高帶寬迭代，2024年下半年HBM3e預(yù)計(jì)將集中 出貨。隨AI服務(wù)器出貨暴漲以及GPU芯片的HBM用量提升，HBM需求高增。 TrendForce 預(yù)測(cè)，2024 年HBM需求增長(zhǎng)率接近200%，2025年可望將再翻倍。

本土先進(jìn)封裝產(chǎn)業(yè)鏈：厚積薄發(fā)、加速成長(zhǎng)

1）刻不容緩：海外高性能芯片管制加強(qiáng)，AI芯片自主可控大勢(shì)所趨。美國(guó)對(duì)高性 能芯片出口限制不斷加強(qiáng)，英偉達(dá)先進(jìn)GPU芯片供應(yīng)受阻。中國(guó)智能算力市場(chǎng)需 求旺盛，2018-2023 年數(shù)據(jù)中心機(jī)架數(shù)量 CAGR達(dá) 30%，發(fā)展AI芯片自主可控 為大勢(shì)所趨，國(guó)產(chǎn)AI芯片亟待突破放量。此外，集成工藝可助力芯片跨越1-2個(gè) 制程工藝節(jié)點(diǎn)，在高端光刻機(jī)封禁下先進(jìn)封裝有望助力“彎道超車(chē)”。

2）提前布局：國(guó)產(chǎn)封測(cè)大廠打開(kāi)成長(zhǎng)空間。以長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技等 為代表的國(guó)內(nèi)封測(cè)龍頭深耕先進(jìn)封裝工藝，積極布局海外業(yè)務(wù)，現(xiàn)已具備較強(qiáng)的市 場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。此外國(guó)產(chǎn)HBM穩(wěn)步推進(jìn)，據(jù)Trendforce報(bào)道，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)廠商武漢新芯 （XMC）和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)（CXMT）正處于HBM制造的早期階段，目標(biāo)2026年量產(chǎn)。

3）未來(lái)可期：本土相關(guān)設(shè)備/材料有望受益。先進(jìn)封裝工藝升級(jí)，對(duì)封裝設(shè)備的精 度和用量提出更高要求，相關(guān)材料深度受益。