半導(dǎo)體行業(yè)深度跟蹤：國內(nèi)設(shè)備算力代工等板塊業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)向好，關(guān)注存儲(chǔ)模擬等復(fù)蘇態(tài)勢(shì).pdf

半導(dǎo)體行業(yè)深度跟蹤：國內(nèi)設(shè)備算力代工等板塊業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)向好，關(guān)注存儲(chǔ)模擬等復(fù)蘇態(tài)勢(shì)。海外 CSP 云廠商紛紛上修資本支出，臺(tái)積電上修 2025 年收入增速指引，整體 算力景氣度有望延續(xù)，國內(nèi)海光等亦持續(xù)釋放業(yè)績(jī)；海外半導(dǎo)體設(shè)備公司 25Q2 表現(xiàn)符合預(yù)期，國內(nèi)設(shè)備公司簽單和業(yè)績(jī)表現(xiàn)向好；海外存儲(chǔ)原廠受益于 HBM 等需求，國內(nèi)存儲(chǔ)模組和利基存儲(chǔ)芯片公司將繼續(xù)受益于漲價(jià)和庫存改善等， 整體收入和盈利能力預(yù)計(jì)均保持邊際復(fù)蘇態(tài)勢(shì)；海外 TI 表示大部分終端市場(chǎng)復(fù) 蘇，國內(nèi)模擬公司 25Q2 營(yíng)收多數(shù)同環(huán)比改善。建議關(guān)注自主可控加速疊加業(yè) 績(jī)向好的設(shè)備/算力/代工/等板塊、景氣周期邊際復(fù)蘇的存儲(chǔ)/模擬等板塊，同時(shí) 建議關(guān)注各科創(chuàng)指數(shù)和半導(dǎo)體指數(shù)核心成分股。

7 月 A 股半導(dǎo)體指數(shù)跑贏費(fèi)城半導(dǎo)體指數(shù)、跑輸中國臺(tái)灣半導(dǎo)體指數(shù)。7 月， 半導(dǎo)體（SW）行業(yè)指數(shù)+3.08%，同期電子（SW）行業(yè)指數(shù)+6.59%，費(fèi)城 半導(dǎo)體指數(shù)/中國臺(tái)灣半導(dǎo)體指數(shù)+1.13%/+8.05%。

行業(yè)景氣跟蹤：部分消費(fèi)類領(lǐng)域景氣轉(zhuǎn)暖，整體庫存等持續(xù)邊際改善。

1、需求端：部分消費(fèi)電子行業(yè)需求復(fù)蘇，AI/汽車等驅(qū)動(dòng)端側(cè)應(yīng)用創(chuàng)新。手機(jī)： Q2 全球出貨同比增速放緩至 1%，國內(nèi)出貨同比-4%，第三方機(jī)構(gòu)下調(diào)全年 出貨預(yù)測(cè)，關(guān)注 AI 應(yīng)用在本地設(shè)備的落地。PC：25Q2 全球 PC 出貨同比 +6.5%，IDC 和 counterpoint 預(yù)計(jì) 25H2 出貨同比增速減弱；關(guān)注 AI 應(yīng)用對(duì) 硬件終端廠商的發(fā)展驅(qū)動(dòng)。可穿戴：25Q1 全球 AI 眼鏡出貨量同比+216%延 續(xù)高增長(zhǎng)，近期 Meta、小米等發(fā)布 AI/AR 眼鏡新品，持續(xù)關(guān)注智能眼鏡、耳 機(jī)等新形態(tài)終端創(chuàng)新。XR：25Q1 全球 VR/AR 銷量同比-23%/持平，6 月小 米發(fā)布首款 AI 眼鏡，預(yù)計(jì) 2025 年仍為 VR 銷量小年，關(guān)注 AI+AR 類融合創(chuàng) 新及對(duì) AR 產(chǎn)品的帶動(dòng)。服務(wù)器：TrendForce 微幅下修今年全球 AI 服務(wù)器出 貨量至年增 24.3%，預(yù)計(jì)全年整體服務(wù)器出貨年增約 5%，北美云廠 25CQ2 Capex 指引超預(yù)期，25M6 信驊營(yíng)收 7.8 億新臺(tái)幣，同比+55%/環(huán)比+3%。汽 車：25H1 國內(nèi)汽車市場(chǎng)銷量同比+13.8%，小米 YU7 上市 18 小時(shí)鎖單量突 破 24 萬臺(tái)，關(guān)注智駕技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用下沉趨勢(shì)。

2、庫存端：手機(jī)鏈 DOI 環(huán)比略有提升，終端客戶庫存均處于低位。25Q2 全 球手機(jī)鏈芯片大廠 DOI 環(huán)比略有提升，PC 鏈芯片廠商英特爾 25Q2 庫存及 DOI 環(huán)比下降，TI 表示所有終端客戶庫存均處于低位，NXP 表示歐美 Tier1 庫存去化接近尾聲，預(yù)計(jì)季末面對(duì)零庫存發(fā)貨需求，ST 指引 25Q4 庫存周轉(zhuǎn) 天數(shù)大幅下降，通用模擬及功率尚需庫存進(jìn)一步消化。

3、供給端：臺(tái)積電加碼美國先進(jìn)制程產(chǎn)線建設(shè)，存儲(chǔ)原廠 Capex 聚焦 HBM 等高端存儲(chǔ)器。1）邏輯端，TSMC 表示 AI 數(shù)據(jù)中心需求持續(xù)強(qiáng)勁；UMC 25Q2 產(chǎn)能利用率 76%，環(huán)比+7pcts；SMIC 25Q2 產(chǎn)能利用率 92.5%，環(huán)比+2.9pcts， 其中 12 英寸產(chǎn)能利用率保持穩(wěn)健，8 英寸產(chǎn)能利用率持續(xù)復(fù)蘇；華虹 25Q2 稼動(dòng)率 102.7%，在滿載基礎(chǔ)上環(huán)比進(jìn)一步提升 5.6pcts；格芯 25Q2 稼動(dòng)率 近 80%，環(huán)比基本持平；世界先進(jìn) 25Q2 產(chǎn)能利用率近 73%，預(yù)計(jì) 25Q3 稼 動(dòng)率環(huán)比增長(zhǎng) 7pcts 至約 80%；2）存儲(chǔ)端，三星目前最先進(jìn) NAND 產(chǎn)品為 2024 年量產(chǎn)的 289 層 V9，公司計(jì)劃于 2026 年 3 月建設(shè) V10 NAND 內(nèi)存生 產(chǎn)線，試生產(chǎn)穩(wěn)定后 10 月將開始量產(chǎn)；美光預(yù)計(jì) 2025 財(cái)年資本支出為 140 ±5 億美元，主要投資 1β和 1γnm 節(jié)點(diǎn) DRAM；SK 海力士上修 2025 年資 本開支指引，用于 HBM 新產(chǎn)線基礎(chǔ)設(shè)施支出預(yù)計(jì)同比顯著增長(zhǎng)。

4、價(jià)格端：存儲(chǔ)價(jià)格穩(wěn)健復(fù)蘇，關(guān)注模擬潛在漲價(jià)趨勢(shì)。DDR4 產(chǎn)品價(jià)格持 續(xù)上升，但漲幅有所收斂；NAND Flash 價(jià)格持續(xù)穩(wěn)健復(fù)蘇；模擬芯片領(lǐng)域需 要關(guān)注 TI 等大廠潛在漲價(jià)趨勢(shì)對(duì)于行業(yè)的正向拉動(dòng)。