電子行業(yè)存儲專題系列2：如何看待此輪存儲周期的不同.pdf

電子行業(yè)存儲專題系列2：如何看待此輪存儲周期的不同。核心觀點：隨著 AI 訓(xùn)練和推理對算力需求的快速增長，數(shù)據(jù)中心對 HBM、大容量 DDR5 及企業(yè)級 SSD 的存儲需求快速增長，行業(yè)景氣度持續(xù)提升。我們預(yù)計此輪周期和過去 幾輪存儲周期有本質(zhì)的不同，此輪存儲景氣周期是由 AI 驅(qū)動而非消費電子，而存儲配 置直接關(guān)系到 AI 系統(tǒng)的認知能力、功能實現(xiàn)及運行效率。當前，全球 CSP 大廠持續(xù)加 大 AI 基礎(chǔ)設(shè)施投入，單顆 GPU 搭載的 HBM、DRAM、企業(yè)級 SSD 用量和容量顯著增 加， AI 訓(xùn)練與推理過程中產(chǎn)生的海量數(shù)據(jù)（token）及輸入輸出文件，進一步推高了對 存儲的需求，形成持續(xù)且強勁的驅(qū)動力。

需求端：AI 推理需求爆發(fā)是存儲需求的主要驅(qū)動力。根據(jù) TrendForce，預(yù)計 2026 年 八大主要 CSP 的合計資本支出將超越 7,100 億美元，同比增長約 61%。若未來 AI 應(yīng) 用爆發(fā)，企業(yè)盈利有望大幅提升，CSP 在 2027 年之后依舊有望大幅提升資本開支。雖 然存儲漲價對消費電子需求存在較大沖擊，但本輪周期是由 AI 數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)商主 導(dǎo)，AI 推理需求爆發(fā)是存儲需求的主要驅(qū)動力，且 AI 對存儲需求拉動明顯高于消費電 子下滑對存儲需求的影響。

供給端：2026 年存儲原廠目前新建的產(chǎn)能相對有限，新增產(chǎn)能大部分在 27H2 釋放。 NAND 方面，2026 年海外存儲大廠僅有鎧俠 K2，三星西安 X2 產(chǎn)線、海力士清州 M15 等廠小幅擴產(chǎn)。DRAM 方面，2026 年僅有三星 P4、海力士 M15X 等廠小幅擴產(chǎn)。資 本開支方面，海外存儲大廠資本開支未來主要聚焦 AI 方向，例如 HBM、DDR5 以及企 業(yè)級 SSD，而消費電子已不再是未來資本開支的重心。

供需關(guān)系：預(yù)計供需緊張持續(xù)至 2027 年之后。NAND 方面，我們測算 2025-2027 年， NAND 總需求分別為 988EB、1130EB、1501EB，NAND 總供給分別為 986EB、1071EB、 1447EB，預(yù)計 2026-2027 年 NAND 供需缺口分別為-5.26%、-3.60%。DRAM 方面， 我們測算 2025-2027 年，DRAM 總需求分別為 40EB、52EB、69EB，DRAM 總供給 分別為 41EB、48EB、68EB，2026-2027 年 DRAM 供需缺口分別為-7.22%、-1.77%。

價格端：在 AI 強勁需求下，我們預(yù)計存儲價格上漲有望貫穿 2026 年全年。根據(jù) TrendForce 最新存儲器價格調(diào)查，2026Q2 因DRAM原廠積極將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向HBM、Server 應(yīng)用，并采用“補漲”策略拉近各類產(chǎn)品價差，盡管終端市場面臨出貨下修風(fēng)險，預(yù)估 整體一般型 DRAM(Conventional DRAM)合約價格仍將環(huán)比增長 58-63%。NAND Flash 市場持續(xù)由 AI、數(shù)據(jù)中心需求主導(dǎo)，全產(chǎn)品線連鎖漲價的效應(yīng)不減，預(yù)計第二季整體合 約價格將環(huán)比增長 70-75%。海力士表示在 AI 客戶強勁需求的推動下，當前的存儲價 格上漲趨勢可能貫穿 2026 全年。