美光科技-MU.US-HBM構筑高彈性空間，技術升級疊加擴產共塑份額紅利.pdf

本文是對美光科技（MU）的深度研究報告，核心觀點認為存儲行業正在完成從“周期股”到“AI算力基礎設施”的估值范式切換，美光作為美國本土唯一兼具DRAM與NAND雙重彈性的廠商，是本輪AI推理周期最直接的受益者。

在HBM領域，美光憑借極強的產品執行力迅速重塑競爭格局。公司2026年HBM產能已全面售罄，專為英偉達Vera Rubin平臺設計的HBM4已于2026年第一季度率先量產出貨，總帶寬超2.8TB/s。疊加全球首發的1γ（1-gamma）EUV先進制程，美光在高壁壘的AI存儲賽道持續領跑，中長期有望迎來“量價齊升”與“份額擴張”。

在NAND領域，推理時代來臨，RAG與企業級SSD構成第二增長極。存儲需求從“訓練側一次性爆發”轉向“推理側持續性消耗”，KV Cache卸載至SSD成為新增量。FY26Q2美光NAND營收環比大幅增長，數據中心SSD份額連續四年提升，Micron 9650（PCIe Gen6）已率先量產。

供給端方面，AI擠壓效應重塑供給結構。龐大的AI算力需求擠占傳統DRAM有效供給，NAND端向高層QLC轉產導致總體產能結構性收緊，存儲芯片大盤供需緊缺或將延續數年，美光將享受行業價格中樞上移帶來的高額紅利。

盈利預測方面，預計公司FY2026-FY2028年歸母凈利潤為678.1/1,109.1/1,154.4億美元，對應當前市值PE分別為14.9/9.1/8.8X?？紤]到HBM量價齊升與企業級SSD結構性擴張，業績兼具確定性與成長性，首次覆蓋給予“買入”評級。