杰華特經營看點在哪？

進入高速增長期，重點業務正從消費向通訊、工業等領域過渡。

1.公司進入高速增長期

公司2021年實現營收10.42億元，同比+156%，歸母凈利潤為1.42億 元，扭虧為盈。公司2022年前三季度的營收與歸母凈利潤分別為10.40與1.09億元。電源管理芯片：公司電源管理芯片包括DC-DC芯片、線性電源芯片以及AC-DC芯片，其中 DC-DC芯片逐漸發力，AC-DC芯片營收占比逐年下降，主要系公司AC-DC芯片主要用于消 費電子，而公司逐步將業務重點向工業與汽車等其他應用領域過渡。2021年開始公司線性電 源芯片營收增長快速主要系新品量產以及與大客戶展開合作。 信號鏈芯片：目前占比較小，營收增長主要系新產品的推出。

業務重點從消費電子向通訊電子、汽車電子及工業應用等領域過渡

隨著公司消費電子應用領域業務的逐步穩定、 電源管理芯片的持續迭代以及產品布局的不斷 拓展，公司逐步將業務重點從消費電子向通訊 電子、汽車電子及工業應用等領域過渡。 汽車電子與新能源領域等國家戰略性新興行業 將成為公司的重點市場發展方向。

DC-DC芯片：平均單價逐年提升主要系產 品型號的豐富、應用領域向通訊電子、計 算與存儲及汽車電子拓展以及與客戶合作 的加強。AC-DC芯片：20年平均單價同比下降主要 系推出成本低產品且采取具有市場競爭力 的定價策略；后續年份平均單價提升主要 系需求以及產品結構改善。線性電源芯片：21年平均單價提升較多主 要系新產品實現量產、單價較高的通訊電 子產品占比高于單價較低的計算與存儲。 電池管理芯片：鋰電池充電芯片采取業內 領先的集成充電方案，營收增長較快。信號鏈芯片：收入提升主要系新品推出。

綜合毛利率穩步提高，2022H1研發費用率20.46%

隨著線性電源芯片在通訊領域的新品的量產、DC-DC芯片在通訊領域的產品進入大客戶供應 鏈并逐步放量、市場需求的驅動以及產品結構的變化，公司綜合毛利率呈上升趨勢，2022前 三季度實現綜合毛利率40.71%。 扣除股份支付后，2019-2021公司四費比率呈下降趨勢；2022H1管理費用率有所上升主要系 公司營業規模增長需擴充人員； 2022H1公司財務費用率增長主要系支付較多產能保證金等原 因使得公司銀行貸款增加，利息支出金額增長。作為技術驅動型公司，公司始終保持較高的研 發費用率。

供應商穩定，品牌客戶資源豐富

公司不存在向單個供應商采購比例超過采 購總額50%的情況，且供應商穩定。 公司采購業務通常采用“框架協議+訂單 ”的方式向供應商采購，公司與前五大供 應商均簽署重大采購合同；2022年1月， 公司與中芯國際簽署《戰略合作協議》， 約定公司向中芯國際提供金額為 33,920 萬元人民幣的保證金，以協助中芯國際為 滿足公司的產能需求持續投資擴充產能， 合同有效期至 2025年12月31日。

2.中低壓+高壓+超高壓BCD工藝平臺彰顯技術不可替代性

虛擬IDM模式：基于自有工藝進行芯片制造

同業上市公司采用 Fabless業務模式，而 公司采取虛擬IDM模 式，是國內少數同時 具備自主工藝制造技 術和多產品線設計開 發能力的模擬集成電 路企業。

模擬集成電路工藝

目前應用于模擬集成電路的工藝包括 BCD工藝以及CMOS等其他工藝，公司 使用BCD工藝，該工藝可以降低模擬芯 片的功耗、減少不同模塊之間的相互干 擾并降低成本。 現階段BCD工藝的發展路徑是“More Moore”和“More than Moore”齊 頭并進，即在重視制程的更新外，亦聚 焦于優化功率器件結構、使用新型隔離 工藝等方向。

中低壓：0.18微米的7-55V中低壓BCD工藝

公司自主研發的7-55V電壓先進BCD工藝平臺，經過三期迭代，目前已處于國際先進水平， 相關參數與某頭部晶圓廠第三代工藝相近。 基于該工藝平臺，公司進行中低壓全集成電源管理芯片的研發，已量產諸如國內首款60A單 芯片全集成芯片、大電流POL等多個產品品類，廣泛應用于服務器、人工智能、通訊等領域 下的低壓大電流CPU供電場景。

高壓：0.18微米的10-200V高壓BCD工藝

公司自主研發的 10-200V 高壓BCD工藝平臺主要用于研發高壓、高可靠性芯片。與主要晶圓 廠相比，公司高壓BCD工藝的器件擊穿電壓BV（Breakdown Voltage）能力較強，特別是在 200V高耐壓應用中具有明顯優勢。基于該工藝平臺，公司已經量產多系列芯片如熱插拔保護芯片，以太網供電芯片，橋式驅動 芯片等，廣泛應用于通訊電子和工業應用等領域。

超高壓：0.35微米的10-700V超高壓BCD工藝

公司自研的超高壓BCD工藝平臺適用于AC-DC系列產品的研發，基于該平臺，已量產了諸如 應用于高頻 GaN 的ACF控制器等多款行業先進性產品。公司的第三代超高壓BCD工藝平臺在晶圓面積、電源效率及耐壓等級等多項指標上達到或超 過了部分國際知名廠商的公司產品，并且該工藝的主要器件性能已優于部分主流晶圓廠的器 件性能。

DC-DC：21年營收占比36%；產品覆蓋5~700V低中高全電壓等級

公司的DC-DC芯片兼具成本優勢和性能優勢：基于與所需電壓相匹配的自有工藝，公司針對 性進行電路設計，實現晶粒面積小于競品，具備成本優勢；同時公司基于自研的DC-DC控制 技術并結合下游終端設備的系統應用特點進行優化，實現產品的高效率、高可靠性以及良好 的電源特性。

DR MOS：MOSFET的節能高效之星

Doctor MOS（DR MOS）是將High Side MOS、Low Side MOS及驅動IC三個原先分離的 原件，通過四方平面無引腳封裝技術整合成高度集成電路化元件的節能技術。三合一封裝的 DR MOS面積是分離MOSFET的1/4，功率密度是分離MOSFET的3倍，增加了超電壓和超頻 的潛力，并大幅降低寄生電容電感，進而降低開關損耗，達成卓越效率。

傳統的CPU/GPU電源供應器，需使用三顆IC： Driver、 high side MOSFET、low side MOSFET，然而這三個獨立 的IC，分散在主板上，彼此間的訊號傳遞路徑很長，操作頻 率無法太高。 因此若需在更高頻的環境下操作，是無法提供 CPU/GPU足夠的動態電流。

DR MOS則是將上述三個獨立原件，封裝在一個QFN中，將 大幅降低控制訊號的傳遞路徑，將可提高操作頻率。使用DR MOS的主板，在相同的散熱條件下，溫度及阻值更低，展現 更好的用電效率、更省電; 此外，透過DR MOS的超低電源反 應時間及低阻抗特性，主板也會有更好的超頻表現。

DR MOS應用：主要多用在CPU/ GPU供電、服務器、數據庫、5G等需要高頻操作的應用。 憑借其將新型MOS和驅動其開關的電路集合于單晶片原理，DR MOS縮短了開關切換時間， 具備更低的內部電阻及漏電流。因此，其動態響應速度更快，發熱量低，無用功耗低，功率 密度更高。這些特性，使得DR MOS被廣泛運用于PC（主板）、圖形卡、筆記本電腦、服務 器、路由器及存儲器。

多相控制器：電源管理系統的智慧大腦

多相控制器應用：主要用在CPU/ GPU/ SoC/ ASIC供電、服務器與計算系統等需要大電流、 低電壓、快速瞬態響應和高頻操作的應用。數字多相控制器憑借自動環路補償和自適應切相 功能，大大提升了多相變換器的效率，因此能夠更有效地解決大電流/功率應用挑戰，大幅降 低部件選擇、環路/性能優化和布局等帶來的負擔。這些特性，使得數字多相控制器被廣泛運 用于汽車、消費電子、工業、電信基礎設施、云計算等領域。

數字多相控制器是改善數據中心效率和尺寸 的關鍵技術：隨著用戶對數據中心的需求越 來越大，提高數據中心尺寸和密度也變得迫 在眉睫。其中關鍵制約因素是服務器每個機 架的功率限制。提高工作電壓是一種解決方 案，但該方案必須同時滿足高效率與小尺寸 。因而無需任何外部元器件的數字多相控制 器成為技術關鍵，其帶來的低成本與系統可 調性使得該技術更具吸引力。

多相控制器是一種為中央處理單元 (CPU)、圖形處理單元 (GPU)、片上系統 (SoC) 和專用集 成電路 (ASIC) 等供電的功率轉換控制系統。該技術可以通過自適應切相和相位控制等方法， 根據負載電流的變化改變相位操作來提升多相變換器的效率。這一技術可滿足服務器和計算 系統對大電流、低電壓和快速瞬態響應的需求。

傳統的模擬控制器在優化補償回路時需進行多次迭代計算 外部元件正確值以滿足多種工作條件；模擬控制需要大量 外部器件進行環路補償和負載-線性校準，占板面積大且設 計復雜；傳統模擬控制器使用一個 PWM 信號來驅動單個 功率級，無法滿足500A以上的大電流需求。

數字多相控制器由于具有自動環路補償的功能，避免了潛 在的重復勞動，從而有更好的瞬態性能；同時無需任何外 部元器件便可完成系統微調，在減少PCB布局復雜程度的 同時亦減少了占板面積；無需使用倍相器便能滿足500A以 上的大電流需求。

AC-DC：21年營收占比35%；供寬電壓、低能耗、高性價比

基于自主平臺工藝的芯片設計，公司可提供寬電壓、低能耗、高性價比的AC-DC產品。通過 對產品的持續性迭代與創新，公司逐漸在快充、智能電表、照明等市場積累了較強的品牌知 名度。同時公司的AC-DC應用市場國產芯片方案發展迅速且客戶認可度高，國產市場空間逐 步釋放。