半導體存儲行業專題報告：新應用發軔，存力升級大勢所趨.pdf
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- 時間：2023/07/31
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半導體存儲行業專題報告：新應用發軔，存力升級大勢所趨。行業下行周期加速見底，H2拐點將至。國際存儲巨頭相繼宣布削減資本開支并減產，以減少行業供應，加速修復存儲市場供需平衡，我們判斷 各廠商的減產動作在H2會逐漸顯現成效。盡管目前下游應用需求復蘇仍不明朗，DRAM和NAND Flash下行周期尚未終止，但隨著終端客戶和 渠道商的庫存逐步緩解，存儲廠商拒絕再降價出售甚至詢單報價頻傳上漲，定價趨勢向好，Q3部分新一代存儲產品有望率先迎來上漲。
存儲行業激蕩六十載，半導體中大宗商品。存儲占集成電路1/4以上份額，具有與集成電路較同步但更劇烈的周期性，2021年全球半導體存儲器 市場中，DRAM占比達56%，NAND Flash約占41%。目前DRAM和NAND Flash均呈現海外玩家寡頭壟斷的格局，我國大部分廠商還是與國際 龍頭進行錯位競爭，聚焦利基型市場；我國NOR Flash芯片技術基本成熟，例如兆易創新的NOR Flash在全球已經取得前三市占率。
AI & 汽車電子發軔，新應用激發新動能。存儲的下游應用過去以手機、PC和服務器為主，以手機、PC為例的消費電子自去年以來需求持續低 迷，至今復蘇需求仍不明朗，而人工智能和汽車電子作為新興應用方興未艾，激發大量增量需求。在年初現象級AIGC應用ChatGPT出圈后，全 球科技巨頭爭相在AI領域發力，將刺激更多配套的存儲器用量。另一方面，隨著新能源汽車發展與汽車智能化不斷演進，汽車有望成長為新一代 的智能終端，或將復制手機、PC的發展路徑，依賴于存儲空間的提升來支持ADAS、高精度地圖、事故記錄、娛樂等功能的突破。
存力升級大勢所趨，新興存儲技術應運而生。 隨著近幾年云計算和人工智能應用的發展，面對計算中心的數據洪流，處理器、內存發展速度不 均衡，數據搬運慢、搬運能耗大等問題成為了計算的關鍵瓶頸。在此背景下，存算一體、HBM、CXL等新興存儲技術路徑備受關注，尤其是 HBM已經成為高端AI服務器標配，TrendForce預估2023年全球HBM需求量將年增近六成，來到2.9億GB，2024年將再成長三成。
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