探尋2024年新股擇股路徑（二）：從沉積設(shè)備論半導(dǎo)體設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化加速機(jī)遇.pdf

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時(shí)間：2023/12/21
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探尋2024年新股擇股路徑（二）：從沉積設(shè)備論半導(dǎo)體設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化加速機(jī)遇。半導(dǎo)體周期迎來(lái)向上拐點(diǎn)，疊加我國(guó)自主可控政策持續(xù)推進(jìn)下，我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備有望迎來(lái)加速發(fā)展機(jī)遇。薄膜沉積設(shè)備作為晶圓制造前道設(shè)備中的核心設(shè)備之一，目前國(guó)產(chǎn)化率仍維持較低水平；我們發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備各品類國(guó)產(chǎn)化進(jìn)度有所分化，國(guó)產(chǎn)廠商目前僅在小部分產(chǎn)品的國(guó)產(chǎn)替代上取得一定成效。

展望未來(lái)，我們認(rèn)為薄膜沉積設(shè)備即將到達(dá)國(guó)產(chǎn)化加速的節(jié)點(diǎn)，原因包括：（1）國(guó)產(chǎn)廠商逐步打破國(guó)外技術(shù)壟斷，多項(xiàng)關(guān)鍵細(xì)分設(shè)備已到達(dá)產(chǎn)業(yè)化突破節(jié)點(diǎn)；（2）半導(dǎo)體周期或觸底向上，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體銷售額經(jīng)歷今年3月的低點(diǎn)后同比增速連續(xù)7個(gè)月上升，而大陸晶圓廠實(shí)際產(chǎn)能與規(guī)劃產(chǎn)能之間仍有較大差距，擴(kuò)產(chǎn)有望加速；（3）今年以來(lái)，美國(guó)、日本、荷蘭等國(guó)啟動(dòng)對(duì)華半導(dǎo)體設(shè)備出口管制，薄膜沉積設(shè)備為重點(diǎn)限制領(lǐng)域之一，或?qū)?guó)產(chǎn)加速形成催化。

集成電路產(chǎn)業(yè)自主可控政策背景下，半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備、溫控設(shè)備及工藝廢氣處理設(shè)備等細(xì)分領(lǐng)域國(guó)產(chǎn)化有望加速發(fā)展，薄膜沉積設(shè)備國(guó)產(chǎn)化的快速提升或?qū)⑦M(jìn)一步帶動(dòng)資本市場(chǎng)對(duì)于上述細(xì)分領(lǐng)域的關(guān)注。