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英諾賽科研究報告：全球氮化鎵龍頭，產業進入快速成長期。全球氮化鎵（GaN）行業龍頭。英諾賽科是全球領先的第三代半導體氮化 鎵功率器件 IDM 廠商，專注于 8 英寸硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延與器件的 研發、設計、生產和銷售。公司掌握從外延生長、芯片設計、晶圓制造到封裝 測試的全產業鏈核心環節，是全球少數具備大規模量產 8 英寸 GaN 能力的企 業，技術實力與產業地位突出。

GaN 產業步入高速增長階段，下游應用多點開花。GaN 作為第三代半導 體的關鍵材料，憑借其在高頻、高效、高功率密度等方面的卓越性能，在消費 電子、數據中心、汽車、新能源發電、機器人等領域具有廣闊應用前景，正持 續提升滲透率。根據弗若斯特沙利文數據，2023 年全球 GaN 市場規模為 17.60 億元，2019-2023 年 CAGR 達 88.5%。

8 英寸 GaN-on-Si 量產技術與 IDM 模式構筑核心制造與成本壁壘。相 較于 6 英寸產品，8 英寸產品在成本和生產效率上更具優勢；IDM 模式則有利 于技術的快速迭代和供應鏈的穩定可控。公司在全球率先實現 8 英寸 GaN-onSi 大規模量產，2024 年集團整體良率已超過 95%。公司 IPO 募集資金將有約 60%用于進一步擴大 GaN 產能，約 20%用于研發及擴大公司產品組合，約 10% 用于擴大公司全球分銷網絡。未來公司有望進一步鞏固自身全產業鏈布局優 勢，帶動收入規模持續擴張。

市場份額提升彰顯龍頭氣質，攜手意法加速全球布局。 根據 Yole 數據， 2020-2023 年間，公司憑借自身在產品、成本、產能端的多方面優勢，全球市 場份額從 7%大幅提升至 31%。2024 年，意法半導體為基石投資者參與公司 IPO 發行，并于 2025 年 4 月與公司簽訂協議開展技術聯合開發，形成戰略協 同。2024 年公司海外收入同比增長 118.1%，占比達到 15.3%。后續公司有望 依托于綜合優勢，進一步深化全球市場布局，不斷提升市場份額。