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SST行業深度報告：數據中心能耗和功率提升推動供電架構革新，SST市場空間廣闊。數據中心能耗和功率高且呈現集中分布態勢，運行過程中電費高。1）能耗：據IEA，2024年全球數據中心電力需求為 415TWh，約占全球總用電量的1.5%，AIDC的IT能耗在2022-2027 年間 CAGR 約為 44.8%；2）功率：英偉達機架功率接近指數級增長，每一代GPU 的熱設計功耗通常會提升 20%，導致單臺服務器的功耗需求隨時間不斷增加，且全球數據中心大功率密度機架占比逐漸提升；3）集中分布：數據中心呈現集中分布態勢，在集中分布地區，數據中心電力需求占比格外高，且超大型數據中心數量增速高；4）電費：電費是數據中心運營成本中最重要的部分，占總成本比重超過 50%。

數據中心能耗和功率提升推動數據中心供電架構革新，借助新型功率器件+中高頻變壓器，SST 供電實現高效+高集成，適配數據中心供電架構發展趨勢。1）SiC屬于第三代半導體，適用于高壓、高頻以及高效率的應用場景，GaN 相比于 SiC 具有更高的電子遷移率，開關速度更快，適用于高頻場景；2）高頻變壓器實現電氣隔離與電壓變換，是SST縮小體積的關鍵；3）高效率：對比傳統 UPS，SST 系統的全鏈路效率可明顯提升；4）高集成：SST供電可避免多數中間步驟，從中壓變壓器到列頭柜，SST 系統占地面積不足傳統UPS的50%，且重量更輕；5）綠電直連：SST 以 DC800V 輸出，該電壓便于與分布式光伏、儲能等源網荷儲設備進行直流側并網，SST 系統能避免部分轉換調整環節，簡單可靠，降低成本。

SST 的材料成本主要集中在功率器件和高頻變壓器。采用IGBT 的SST 原型機成本主要包括IGBT 及其驅動器（32%）和高頻變壓器（16%），新型功率半導體中SiC產能分布以海外廠商為主，包括意法半導體、安森美和英飛凌等，GaN 器件2024 年市場份額較高的是英諾賽科和納微半導體，特變電工等變壓器企業積極開展高頻變壓器開發。

空間：數據中心建設和 SST 滲透率驅動，SST 市場空間廣闊。據IEA數據，2024年全球數據中心新增裝機量約 14GW，我們預計 2027 年新增裝機量達到32GW，SST滲透率逐步提升，2027 年全球數據中心 SST 需求的價值量達到約 115 億元。