中芯國際業(yè)務(wù)布局及經(jīng)營看點在哪？

大陸晶圓代工脊梁，資本開支強勁增長。

復(fù)盤臺積電發(fā)展歷程，我們看到其發(fā)展進程中存在三大關(guān)鍵節(jié)點（關(guān)鍵制程節(jié)點的進步： 0.13 微米銅工藝、28nm、7nm/10nm 先進制程以及先進封裝平臺），各節(jié)點皆由技術(shù)突 破所催生。正是憑借“技術(shù)領(lǐng)先”，臺積電得以擁有定價權(quán)，從而獲取高利潤率，而人工 智能或許將成為其第四大關(guān)鍵節(jié)點。代工行業(yè)呈現(xiàn)重資本支出、研發(fā)投入高以及注重知 識經(jīng)驗（Knowhow）積累的特性。規(guī)模效應(yīng)（借助重資產(chǎn)杠桿）與先發(fā)優(yōu)勢（折舊壓力 逐漸降低）致使馬太效應(yīng)極為顯著。臺積電的發(fā)展歷程可歸結(jié)為技術(shù)突破、規(guī)模擴張以 及持續(xù)研發(fā)相互促進、協(xié)同推進的螺旋式上升進程。在此過程中，公司成功贏得大客戶， 增強了客戶黏性，進而逐步穩(wěn)固并強化其在行業(yè)內(nèi)的龍頭地位。 復(fù)盤中芯國際的發(fā)展歷程，其主要分為三個階段，2004 年前的奠基期，2004-2015 年的積累 時期以及 2015 年之后的高速發(fā)展期。

奠基階段（2000 年-2004 年）：2000 年，公司于上海浦東啟動建設(shè)項目，成為中國大陸 首家提供 0.18 微米晶圓代工服務(wù)的企業(yè)。2001 年，上海 8 英寸生產(chǎn)基地建設(shè)完工。2002 年，達成 0.18 微米的全面技術(shù)認證并實現(xiàn)量產(chǎn)，且同年于北京舉行 12 英寸生產(chǎn)基地奠 基儀式。2003 年，收購天津摩托羅拉晶圓廠并組建中芯天津，相繼完成 0.35 微米-0.13 微米的全面技術(shù)認證與量產(chǎn)工作，標(biāo)志著公司在集成電路晶圓代工技術(shù)方面初步完成積 累。2004 年，公司首次實現(xiàn)盈利，并于香港聯(lián)交所與美國紐交所成功上市。在此期間， 公司營收自 2002 年的 0.5 億美元增長至 2004 年的 9.7 億美元，年均復(fù)合增長率（CAGR） 達 340%，同時公司積極推進擴產(chǎn)舉措，資本開支的 CAGR 為 50%。

積累階段（2004 年-2015 年）：自 2004 年起，公司位于北京的 12 英寸生產(chǎn)基地逐步投 入生產(chǎn)運營。12 英寸集成電路晶圓代工業(yè)務(wù)的順利開展，堪稱公司發(fā)展歷程中的關(guān)鍵里 程碑，意味著公司成功轉(zhuǎn)型為兼具 8 英寸與 12 英寸集成電路晶圓代工業(yè)務(wù)能力的企業(yè)。 2005 年，公司年度營業(yè)收入首次超越 10 億美元大關(guān)。此后，公司分別于 2006 年、2009 年、2011 年成功實現(xiàn) 90 納米、65/55 納米、45/40 納米工藝的升級及量產(chǎn)工作，技術(shù)服 務(wù)水準得以大幅跨越提升。至 2013 年，公司年度營業(yè)收入首次突破 20 億美元數(shù)額。在 此期間，公司營收從 2004 年的 9.7 億美元增長至 2015 年的 22.7 億美元，年均復(fù)合增 長率（CAGR）達 8%。此階段內(nèi)，公司每年資本開支總體維持相對穩(wěn)定態(tài)勢，CAGR 為 -3%。公司產(chǎn)能從 04Q4 的 12 萬片/月提升至 15Q4 的 28 萬片/月。

高速發(fā)展階段（2015 年至今）：2015 年，中芯國際榮膺中國大陸首家達成 28 納米量產(chǎn) 的企業(yè)，成功填補了中國大陸高端芯片生產(chǎn)領(lǐng)域的空白，自此公司步入戰(zhàn)略調(diào)整后的高 速發(fā)展軌道，并相繼于上海、北京、天津及深圳等地開啟生產(chǎn)基地的新建與擴建工程。 2017 年，公司年度營業(yè)收入首次突破 30 億美元。至 2019 年，公司斬獲重大突破，實 現(xiàn) 14 納米 FinFET 工藝的量產(chǎn)，且第二代 FinFET 技術(shù)亦步入客戶導(dǎo)入環(huán)節(jié)。在此期間，公司營收由 2015 年的 22.7 億美元攀升至 2023 年的 63.2 億美元，年均復(fù)合增長率 （CAGR）達 13.7%。公司積極推進擴產(chǎn)進程，尤其在 2020 年資本開支增速高達 179%， 2022 年資本開支增速亦達 47%，總體而言，2015-2023 年資本開支的 CAGR 達 25%。 公司產(chǎn)能從 2014 年第四季度的 25 萬片/月提升至 2024 年第三季度的 88 萬片/月。

代工行業(yè)呈現(xiàn)出重資產(chǎn)的顯著特性，每當(dāng)出現(xiàn)新的技術(shù)節(jié)點，且在實現(xiàn)量產(chǎn)以及良率提 升之后，產(chǎn)品往往會面臨降價的情況。如此一來，后進入該行業(yè)的廠商若要攤平固定資 產(chǎn)折舊成本，則需要耗費更長的時間，并且對產(chǎn)品良率以及設(shè)備稼動率的要求相較于先 發(fā)廠商而言更為嚴苛，這便致使該行業(yè)馬太效應(yīng)頗為顯著。那些在技術(shù)方面占據(jù)領(lǐng)先地 位的廠商，能夠構(gòu)建起技術(shù)突破→形成規(guī)模效應(yīng)→投入更多研發(fā)資金近乎完美的閉環(huán)。 總體而言，臺積電在處于高速發(fā)展階段、行業(yè)周期上行時期以及保持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢的情 況下，均能獲得較為良好的估值支撐。而中芯國際作為中國大陸范圍內(nèi)唯一一家具備提 供先進制程服務(wù)能力的晶圓廠，在“China for China”（（立足中國、服務(wù)中國）這一趨勢 背景之下，與臺積電在全球維度上所展現(xiàn)出的技術(shù)領(lǐng)先態(tài)勢相類似。未來，隨著行業(yè)周 期上行、技術(shù)持續(xù)進步以及新技術(shù)或新趨勢催生出的需求不斷擴容，中芯國際有望借此 提升自身的估值中樞。

中芯國際位居全球晶圓代工企業(yè)銷售額第三。中芯國際是世界領(lǐng)先的集成電路晶圓代工 企業(yè)之一，也是中國大陸集成電路制造業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者，擁有領(lǐng)先的工藝制造能力、產(chǎn)能優(yōu)勢、 服務(wù)配套。根據(jù)全球各純晶圓代工企業(yè)最新公布的 2023 年銷售額情況排名，中芯國際 位居全球第四位，在中國大陸企業(yè)中排名第一。單季度來看，根據(jù) Trendforce 數(shù)據(jù)，自 24Q1 起，受益于消費性庫存回補及國產(chǎn)化趨勢加速，24Q1 中芯國際銷售額超越格芯與 聯(lián)電，居全球晶圓代工企業(yè)第三，且受益于產(chǎn)品組合優(yōu)化及 12 英寸新增產(chǎn)能開出，公司 24Q2，24Q3 穩(wěn)居第三，全球市場份額 24Q3 達 6.0%。 立足中國，面向世界，具備全球競爭優(yōu)勢。國內(nèi)方面，公司在北京、深圳、天津、上海 等多地建有多座 8 英寸和 12 英寸晶圓廠，產(chǎn)能布局結(jié)構(gòu)合理。同時公司基于國際化運 營的理念，組建了國際化的管理團隊與人才隊伍，建立了輻射全球的服務(wù)基地與運營網(wǎng) 絡(luò)，在美國、歐洲、日本和中國臺灣設(shè)立了市場推廣辦公室，在中國香港設(shè)立了代表處， 以便更好地拓展市場，快速響應(yīng)來自客戶的需求，且公司高度重視與集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的 上下游企業(yè)的合作，積極提升產(chǎn)業(yè)鏈整合與布局的能力，構(gòu)建緊密的集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)， 為客戶提供全方位、一體化的集成電路解決方案。

產(chǎn)能持續(xù)擴建，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)進一步優(yōu)化。從晶圓尺寸來看，公司 12 英寸晶圓產(chǎn)品營收占比 逐步提升，24Q3 占比達 78.5%，且根據(jù)公司 24Q3 法說會，公司 24Q3 新增 2.1 萬片 12 英寸晶圓產(chǎn)能，預(yù)計 Q4 再釋放 3 萬片每月 12 英寸產(chǎn)能，當(dāng)前 12 英寸產(chǎn)能持續(xù)接近滿 載，且對應(yīng)節(jié)點附加值較高，公司提出自 2023 年起，未來 5-7 年將新增 12 英寸產(chǎn)能 34 萬片/月，主要集中于中芯東方、中芯深圳、中芯西青、中芯京城，伴隨公司產(chǎn)能擴 充，產(chǎn)品結(jié)構(gòu)進一步優(yōu)化，ASP 提升，且 12 英寸產(chǎn)能進一步釋放有助于增強覆蓋客戶需 求能力，提升競爭力。分領(lǐng)域來看，自 23Q4 起，消費電子領(lǐng)域營收占比逐步提升，24Q3 占比達 42.6%，受益于下游市場溫和復(fù)蘇及消費電子廠商提前備貨。

一體化布局，產(chǎn)品體系完善。公司是中國大陸較早進入集成電路晶圓代工領(lǐng)域的企業(yè)， 長期專注于集成電路工藝技術(shù)的開發(fā)，技術(shù)節(jié)點豐富，產(chǎn)品體系完善，可提供通訊產(chǎn)品、 消費品、汽車、工業(yè)、計算機等不同領(lǐng)域集成電路晶圓代工及配套服務(wù)，除集成電路晶 圓代工外，公司亦致力于打造平臺式的生態(tài)服務(wù)模式，為客戶提供設(shè)計服務(wù)與 IP 支持、 光掩模制造、凸塊加工及測試等一站式配套服務(wù)，促進集成電路產(chǎn)業(yè)鏈的上下游合作， 以實現(xiàn)為客戶提供全方位的集成電路解決方案。

成熟制程覆蓋全面，大陸首家具備量產(chǎn) 14nmFinFET 能力本土晶圓廠商。中芯國際擁 有全面一體的集成電路晶圓代工核心技術(shù)體系，成功開發(fā)了 0.35 微米至 14 納米的多種 技術(shù)節(jié)點，其中公司 28nm 具備高介電常數(shù)金屬柵極、鍺硅應(yīng)力提升技術(shù)和超低電介質(zhì) 材料銅互聯(lián)工藝，可用于高性能應(yīng)用處理器、移動基帶及無線互聯(lián)芯片領(lǐng)域，14nm 應(yīng)用 FinFET 新型器件，高性能/低功耗，支持超低工作電壓，應(yīng)用多重曝光圖形技術(shù)，集成度 超過 3x10^9 個晶體管/平方厘米，可應(yīng)用于高性能低功耗計算及消費電子產(chǎn)品領(lǐng)域，例 如智能手機、平板電腦、機頂盒、AI、射頻、車載和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域。

本土優(yōu)勢+品牌效應(yīng)，打造晶圓代工國產(chǎn)替代龍頭。相對于國內(nèi)競爭對手，公司已與境 內(nèi)外領(lǐng)先芯片設(shè)計廠商建立了長期穩(wěn)定的合作關(guān)系，以便掌握行業(yè)、產(chǎn)品最新技術(shù)動態(tài)， 及時了解和把握客戶最新需求，準確地進行芯片產(chǎn)品更新升級，確保公司產(chǎn)品在市場競 爭中保持先發(fā)優(yōu)勢，同時積累產(chǎn)品行業(yè)應(yīng)用經(jīng)驗，完善產(chǎn)品性能，提高產(chǎn)品質(zhì)量水平。 相對于國外競爭對手，公司一方面更加貼近、了解本土市場，能夠快速響應(yīng)客戶需求， 提供充分的服務(wù)支持；另一方面，公司與國內(nèi)芯片設(shè)計廠商在企業(yè)文化、市場理念和售 后服務(wù)等方面更能相互認同，業(yè)務(wù)合作通暢、高效，形成了密切且相互依存的產(chǎn)業(yè)生態(tài) 鏈。根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，中國大陸 12 英寸晶圓產(chǎn)能全球份額將從 2022 年 22%增加到 2026 的 25%，產(chǎn)能達到每月 240 萬片，當(dāng)前全球晶圓產(chǎn)能制程節(jié)點向 28nm 及以下集中，先 進制程晶圓進口存在極大不穩(wěn)定性，公司以本土優(yōu)勢+品牌效應(yīng)為基礎(chǔ)，在國內(nèi)需求+國 產(chǎn)替代需求雙重上升拉動下，晶圓代工國產(chǎn)替代龍頭地位進一步鞏固。

特色工藝布局演進，多平臺齊頭并進。公司成功開發(fā)了電源/模擬、高壓驅(qū)動、嵌入式非 揮發(fā)性存儲、非易失性存儲、混合信號/射頻、IGBT、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等多種特色工藝 平臺，均已達到了行業(yè)先進的技術(shù)水平，充分受益于下游市場需求回暖，各行業(yè)智能化 滲透率持續(xù)提升及消費補貼、家電下鄉(xiāng)及 AI 發(fā)展等拉動的消費電子換機潮。 1） 電源/模擬技術(shù)平臺：基于現(xiàn)有的低功耗邏輯平臺可提供模塊架構(gòu)，為模擬和電 源應(yīng)用提供了較低的成本和優(yōu)越的性能，技術(shù)包括雙極晶體管、高壓 LDMOS 晶 體管、精密模擬無源器件和 eFuse/OTP/MTP 非易失性存儲器，同時提供有競爭 力的 Rds（on）功率器件，可應(yīng)用于消費電子、汽車等領(lǐng)域。 2） 高壓驅(qū)動：驅(qū)動 IC 是控制液晶面板及 AMOLED 面板開關(guān)及顯示方式的集成電路 芯片，公司持續(xù)開發(fā)更先進的高壓工藝平臺，包含大尺寸及中小尺寸面板 IC,并 提供具競爭力的 SRAM 單元尺寸，以滿足客戶多方面的設(shè)計要求。 3） eNVM：公司提供了完整的嵌入式非揮發(fā)性存儲技術(shù)與廣泛 IP 支持，可應(yīng)用于 智能卡、微處理器和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，幫助客戶制造出具有成本效益，低功耗，高可 靠性的產(chǎn)品，和更具經(jīng)濟效益的解決方案。4） NVM：涵蓋 24 納米、38 納米以及 65 納米到 0.18 微米技術(shù)節(jié)點，提供 ETOXNOR 閃存技術(shù)解決方案。 5） IGBT：新型電力半導(dǎo)體器件的平臺性器件，具有高輸入阻抗，低導(dǎo)通壓降，驅(qū) 動電路簡單，開關(guān)速度快，電流密度大等優(yōu)點。 6） 混合信號/射頻工藝技術(shù)：通過與國際領(lǐng)先 EDA 工具供應(yīng)商的合作，提供精確的 RF SPICE 模型和完整的 PDK 工具包。 7） IoT：基于超低功耗+射頻+嵌入式閃存技術(shù)及全面的物聯(lián)網(wǎng) IP/Subsystem 生態(tài) 系統(tǒng)，提供專業(yè)、安全、完整的本土化服務(wù)。 8） 汽車電子：提供汽車電子三大領(lǐng)域（（數(shù)字化、模擬式、感應(yīng)感知）最優(yōu)質(zhì)、最可 靠的工藝平臺。