存儲需求回暖,價格上漲趨勢持續。
存儲需求回暖,5 月份存儲器半導體 DRAM 和 NAND 閃存的月平均價格連續兩個月上漲。據市 場調查公司 DRAMeXchange報道,NAND Flash方面,5月份用于存儲卡和 USB驅動器的 NAND 閃存通用產品(128Gb 16Gx8 MLC)平均固定交易價格為 2.92 美元,環比上漲約 5%。NAND 價格從去年 9 月份開始連續 4 個月呈現下跌趨勢,1 月份出現反彈(約 5%),已連續 5 個月上 漲。DRAM 方面,5 月份 PC DRAM 普通產品(DDR4 8Gb 1Gx8)固定交易均價為 2.1 美元,較 上月大幅上漲 27%,繼 4 月份上漲 22%后,連續兩個月漲幅超過 20%。

25 年上半年,多家原廠已實施 DRAM 價格上調。美光、閃迪等此前宣布于今年 4 月 1 日開始對 渠道和消費類產品實施全面漲價; SK 海力士已上調消費類 DRAM 芯片價格,漲幅達到了 12%。 據 TrendForce 此前消息,三星電子 5 月初已與主要客戶敲定了提高 DRAM 供應價格的方案, DDR4 DRAM 的平均增長率為兩位數,DDR5 DRAM 的平均增長率為個位數。
DRAM 和 NAND 價格上漲有望持續到第三季度: NAND Flash 方面,二季度價格上漲受國際形勢變化影響,三季度企業級 SSD 需求增長成主要價 格支撐。據 TrendForce報告,四月初國際形勢變化影響第二季市場的價格走勢變量,預計 NAND Flash 價格季增 3%到 8%。以北美大廠為主的 CSP 持續加強 AI 投資,預期將帶動企業級 SSD 需 求于 2025 年第三季顯著成長;在成品庫存水位偏低的背景下,預期 Enterprise SSD 市場將轉為 供應吃緊,將支撐 NAND Flash 價格出現上漲,季增幅度有望達到 10%。 DRAM 方面,受原廠停產計劃影響補貨需求,DDR4 系列有望大幅上漲。依據 TrendForce,全球 三大 DRAM 供應商宣布即將停產 DDR3 與 DDR4 DRAM, 停產消息在一定程度上推動補貨需求 增長;此外,美國對等關稅政策和 90 天的暫停期等政策下, PC DRAM 模塊領域,買家囤貨熱情 提升。2025 年第二季度和第三季度,DRAM 有望連續上漲,其中 Server DDR4 module、 Consumer DDR4 顆粒的漲幅顯著。
全球 DRAM 市場規模及 HBM 規模預計保持增長。據力積存儲港股上市申請資料,隨著 AI 應用 的快速發展、消費電子的擴張以及技術創新將在長期內持續推動 DRAM 市場增長,市場規模有望 從 2024 年的 6979 億元增長到 2029 年的 8934 億元,2024 年至 2029 年的復合年增長率達 5.1%。 AI 芯片相關產品迭代也促使 HBM 單機搭載容量擴大,推動 HBM 之于 DRAM 產能及產值占比均 大幅向上。根據 TrendForce 數據,產能方面,2025 年 HBM 占 DRAM 總產能占比預估將超過 10%;產值方面, 2025 年 HBM 之于 DRAM 總產值有機會逾三成。TrendForce 集邦咨詢預估, 2025 年 HBM 需求位元可望在 2024 年基礎上再翻倍。 MRDIMM 新型內存模組有望緩解 AI 時代“內存墻”問題。在 AI 時代,數據驅動的工作負載需求 不斷增長,傳統內存 RDIMM 傳輸帶寬的線性增長與 CPU 核心數量的指數級增長不相匹配,“內 存墻” 問題凸顯。MRDIMM 借助 DDR5 規范,采用特殊多路復用技術,可在單一時鐘周期內對兩 個 Rank 執行讀寫操作,有效提升帶寬與內存運算效能。MRDIMM 容量大、成本低、擴展方便, 能直接兼容現有 DDR5 插槽,在科學計算、大語言模型推理等場景性能提升顯著。目前,SK 海 力士、美光科技、三星、英特爾等內存廠商積極支持該技術,瀾起科技等可提供關鍵 MRCD/MDB 芯片套片。隨著技術成熟,預計更多服務器 CPU 將支持 MRDIMM,推動 AI 基礎設 施建設中終端市場對其的需求增長。
CXL 技術憑借其內存池化、緩存一致性和低延遲特性,有望成為重構算力基礎設施的關鍵,市場 規模有望快速增長。CXL 技術是一種高速互聯技術,旨在改善計算系統內部各個組件之間的通信 效率。它提供了一種高帶寬、低延遲的通信通道,使內存、加速器和其他計算資源能夠直接連接, 從而大幅提升了數據傳輸速度和系統整體性能。市場調研機構 ABI Research 表示,CXL 技術通 過內存池化和共享內存資源,顯著提高了內存利用率。例如,與傳統方案相比,CXL 內存擴展可 以將每 GB 內存的成本降低約 52%。據市場咨詢機構 Yole 預測,到 2028 年,CXL 市場新增規模 將達到近 160 億美元。中國市場規模預計將占 1/2,達 80 億美元。 在 AI 技術迅猛發展的背景下,存儲容量和性能的提升顯得尤為重要。隨著數據的爆炸式增長, 生成式 AI 應用走向普及,更豐富的內容、更頻繁的復制以及更持久的數據留存,帶來了更多的數據創建和存儲需求。AI 應用所產生的數據不僅規模龐大,而且類型多樣,包括結構化數據、非結 構化數據以及流數據等。這些數據的存儲和管理對存儲系統提出了更高的要求。在 AI 賦能業務的 過程中,企業利用數據的能力提升,帶動數據存儲、管理、使用的需求增長。用戶越來越關注數 據存儲容量、數據訪問速度、設備與系統的能效等方面。 在大型數據中心部署中,大容量、高性能的 AI 存儲系統能夠顯著節省訓練所需的時間,并確保 AI 集群計算能力的高可用性。通過網絡訪問的存儲便于共享和擴展,其中硬盤(HDD)能夠長期 保存原始數據并提供數據保護,固態盤(SSD)則充當可即時訪問的數據層。在模型的訓練過程 中,先要快速地從存儲中加載數據到 HBM(高帶寬內存)、DRAM 以及本地固態盤以供后續的 計算密集型操作使用。網絡硬盤和固態盤存儲檢查點,以保護和優化模型訓練。推理過程中的內 容創建主要依靠 HBM、DRAM 和本地固態盤或硬盤完成。隨后,內容被存儲起來,以便不斷進 行優化。硬盤用于存儲并保護內容的副本。 分布式存儲技術通過將數據分散到多個節點上存儲,提高了系統的可擴展性和容錯性。這種技術 不僅能夠滿足 AI 應用對大容量存儲的需求,還能夠提供高并發訪問和數據共享功能,為 AI 應用 的訓練和推理過程提供有力支持。
邊緣側計算能力增長需存儲能力同步提升。邊緣側的推理應用有顯著的實時性要求,且邊緣側采 集的數據并不全部向云端轉移,其中包括實時性、穩定性、傳輸帶寬 / 成本、數據安全 / 合規的約 束,去中心化更符合邊緣側推理的要求。大多數數據在邊緣側處理和存儲,由此帶動了邊緣側算 力和存儲空間的增長。根據希捷科技和益企研究院,業界預測邊緣存儲的增長速度是核心存儲的 2 倍。 高階智能駕駛時代,數據閉環是核心要素。數據閉環即從車端數據采集,到處理后形成有效數據 集,再通過云服務器進行存儲、運輸,經過算法模型訓練、驗證后,將有效數據成果部署上車, 各環節相互連接,形成數據循環。自動駕駛需要處理來自多種類型傳感器的多模態數據,包括但 不限于圖像、視頻流、點云等。這些數據在結構、大小和訪問頻率上都存在差異。因此,存儲系 統需要具備靈活的數據管理能力,能夠適應不同類型數據的存儲需求,并提供高效的數據檢索和 分析功能。另外,自動駕駛技術對邊緣側的數據存儲可靠性也有著極高的要求,存儲系統必須采 用多種數據冗余和保護機制,確保數據的完整性和可用性,即使在面臨硬件故障或自然災害等極 端情況下,也能保證數據的可靠存儲。
全球 AI 驅動存儲市場預計保持高速增長。據 Precedence Research,全球 AI 驅動存儲市場預計 將從 2024 年的 287 億美元,激增至 2034 年的 2552 億美元,年復合增長率達 24.4%。越來越多 企業正在積極尋求更智能、更靈活的數據管理解決方案。

半導體存儲作為集成電路產業的核心分支,影響著社會信息化進程。近年來,以長江存儲、長鑫 存儲為代表的國內存儲晶圓廠商在技術進步和產能擴張方面持續展現出強勁的發展勢頭。與此同 時,國內半導體存儲企業在存儲芯片、存儲模組、封裝測試等核心技術領域不斷加強自主研發, 持續提升半導體存儲產業的綜合競爭力。 目前存儲芯片國產化率較低,國產化前景廣闊。根據 Gartner 數據,2024 年國產 DRAM 份額低 于 5%,國產 NAND Flash 芯片市場份額低于 10%,發展前景較大。存儲器行業屬于集成電路領 域國家重要的戰略性基礎產業,對國家的電子信息產業和信息安全有重大的意義,存儲芯片的國 產化率隨著市場和政策的雙向推動將會大幅提升,國產存儲產業前景廣大。
存儲芯片方面,國內上市公司主要覆蓋利基 DRAM芯片,NOR Flash芯片、小容量 NAND Flash 芯片和 EEPROM 芯片領域,與存儲原廠形成差異化格局。兆易創新 NOR Flash 市場產品份額位 居全球第二,24 年總體出貨容量創歷史新高,車規 NOR Flash 保持高增長;24 年 DDR3L 和 DDR4 產品出貨量進一步增長, 25 年將持續推進 DDR4 8Gb 產品在 TV 等領域的客戶導入,并推 出 LPDDR4 進一步補齊利基型 DRAM 產品線。北京君正存儲產品主要面向汽車、工業、醫療等 行業市場及高端消費類市場,SRAM、DRAM 等產品在全球車規存儲市場占據重要的產業地位。
存儲產品方面,國內上市公司已實現嵌入式存儲、固態硬盤、移動存儲、內存條等產品線的廣泛 覆蓋,并在主控芯片領域有所延伸。江波龍是全球第二大獨立存儲器企業及中國最大的獨立存儲 器企業,面向消費電子、數據中心、工業、通信、汽車、安防、監控等行業應用市場和消費者市 場,為客戶提供高性能、高品質、創新領先的存儲芯片與產品,2024 年公司企業級存儲業務規模增長明顯,實現營業收入 9.22 億元,同比增長 666%;江波龍延伸產業鏈條,開發的三款自研主 控芯片已實現累計超 3000 萬顆的自主應用。佰維存儲、德明利等存儲模組廠亦均開發了主控芯 片產品。德明利的閃存模組以自研主控芯片為核心持續研發拓展,新一代自研 SD6.0 存儲卡主控 芯片成功量產,待客戶驗證通過后即可批量導入;SATA SSD 主控芯片成功量產進展順利;已立 項 PCIeSSD、UFS、eMMC 主控芯片項目。佰維存儲的第一款 eMMC 國產自研主控已進入小批 量生成環節。