半導體存儲行業深度研究報告：供需雙振驅動價格持續上揚，企業級存儲國產化加速推進.pdf

半導體存儲行業深度研究報告：供需雙振驅動價格持續上揚，企業級存儲國產化加速推進。供給收縮催化短周期價格走強，AI 高景氣推動中長期需求向上。（1）DRAM： 原廠停產 D4 世代供給收縮，PC/server 類價格持續上揚。DDR4 內存已商用 15 年，因 DDR5 在性能、功耗、容量上限及可靠性等維度的綜合優勢，市場 需求逐步轉向 DDR5 世代。與此同時，HBM、DDR5 和 LPDDR5(X)等新世代 產品利潤率顯著高于舊制程，推動內存市場全面向 DDR5 轉型。基于此趨勢， 三星和 SK 海力士已將資源重心轉向 DDR5/LPDDR5 高端產品線，逐步縮減舊 制程 DDR4 產能。自 24Q4 主流存儲原廠宣布減產/轉產 DDR4 至今已逾半年， 帶動 DDR4 顆粒價格率先觸底反彈。受原廠停產催化，內存模組成品市場交易 活躍度顯著提升，內存模組現貨報價持續上揚。合約價方面，除原廠退產 DDR4 世代產品以外，云廠需求支撐疊加國際形勢變化增加備貨，Trendforce 對于 25Q2-25Q3 DDR4 模組價格漲幅預期樂觀。（2）NAND Flash：MLC/低容 TLC 停產推升 eMMC 價格，原廠減產疊加 CSP 需求高景氣驅動主流 NAND 模組 逐步反彈。與 DRAM 產業 DDR4 世代逐步停產類似，存儲原廠在 NAND Flash 領域亦在逐漸推進制程迭代和產品升級，MLC NAND/256Gb TLC 原廠退產在 即，wafer 價格持續拉升。在消費國補及上述低容 NAND wafer 停產影響下， 低容 eMMC 產品現貨價格水漲船高。合約價方面，除低容 eMMC 等原廠規劃 停產料號引發價格上漲外，由于云廠需求增長疊加原廠控產，主流 NAND Flash 亦有望逐步反彈。

企業級存儲國產化大勢所趨，國產廠商加速突圍。全球數據中心基礎設施擴建 浪潮升溫，其中存儲器為數據存儲直接載體，大模型迭代下容量&性能同步進 階，近年服務器 NAND 和 DRAM 應用占比持續增長，已成全球存儲市場增長 核心引擎。（1）閃存模組：作為核心數據載體，企業級閃存模組除需滿足高性 能與大容量需求外，還需符合客戶對使用壽命、運行穩定性、功耗控制等維度 的嚴苛要求。競爭格局上，Solidigm 和三星憑借技術生態與供應鏈整合能力占 據主導地位；憶聯、憶恒創源領跑國產品牌陣營，而大普微、浪潮、江波龍等 本土廠商正持續提升研發能力與品牌溢價，憑借強勁發展勢頭加速突破市場壁 壘。（2）內存模組：內存模組是計算機架構的核心組成部分之一，主要作為 CPU 與硬盤的數據中轉站，用于臨時存儲數據，其存儲和讀取速度遠高于硬盤。相 比于企業級閃存模組，企業級內存模組市場原廠高度壟斷，獨立品牌的模組廠 市場份額仍較小，目前江波龍、海普存儲（香農芯創子公司）已有企業級內存 條相關產品，并實現量產銷售，正在實現國產 0-1 突破。