存儲行業(yè)專題報告：主流存儲迎來全面漲價，企業(yè)級產(chǎn)品需求持續(xù)向好.pdf

存儲行業(yè)專題報告：主流存儲迎來全面漲價，企業(yè)級產(chǎn)品需求持續(xù)向好。AI高景氣疊加終端更新迭代，存儲市場規(guī)模有望穩(wěn)步增長。當(dāng)前AI發(fā)展如火如荼，尤其是基礎(chǔ)設(shè)施/服務(wù)器端，推動企業(yè)級存儲等高端 產(chǎn)品需求持續(xù)向好。其中，除HBM需求延續(xù)高景氣之外，DDR5等高端產(chǎn)品滲透率也在逐步提升，另外，eSSD產(chǎn)品也得益于HDD供應(yīng)緊缺 以及QLC顆粒推廣帶來成本優(yōu)化而迎來滲透率加速。從終端來看，傳統(tǒng)電子產(chǎn)品如手機、PC等隨著更新迭代，DRAM和NAND Flash單機容 量持續(xù)增加，產(chǎn)品規(guī)格也在同步提升，考慮到未來AI推理帶來的巨大數(shù)據(jù)存儲需求以及AI終端產(chǎn)品逐步成熟和放量，存儲市場規(guī)模有 望保持穩(wěn)定提升態(tài)勢。

需求回暖疊加產(chǎn)能重心偏移，存儲產(chǎn)品迎來全面漲價。一方面，當(dāng)前AI延續(xù)高景氣，企業(yè)級存儲產(chǎn)品需求向好，另一方面，傳統(tǒng)存儲 市場庫存逐步去化疊加原廠控產(chǎn)，推動行業(yè)供需格局改善，自25Q2起主流存儲產(chǎn)品合約價開始回暖，根據(jù)TrendForce預(yù)測，在25Q3合 約價環(huán)比上漲基礎(chǔ)上，25Q4 DRAM/NAND Flash合約價有望分別環(huán)比+13%-18%/+5%-10%。展望后續(xù)，DRAM除去HBM需求高景氣外，其 他類型產(chǎn)品的市場供需有望在存儲原廠產(chǎn)能向高端產(chǎn)品傾斜而持續(xù)改善，漲價態(tài)勢有望進一步延續(xù)，而NAND方面，由于NAND未有 HBM等高盈利性產(chǎn)品，因此NAND原廠盈利壓力相對更大，對于漲價需求更為迫切，考慮到當(dāng)前市場供需情況良好，產(chǎn)品漲價有望持續(xù)。