天岳先進(jìn)研究報告：半絕緣型碳化硅襯底龍頭向?qū)щ娦屯卣?pdf
- 上傳者：老*
- 時間：2021/12/03
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碳化硅需求趨勢明確，國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈加速布局：1.碳化硅相比硅具有開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗更低、耐高壓和耐高溫等優(yōu)勢。2.半絕緣型襯底主要用于通信基站及雷達(dá)，需求受益于氮化鎵射頻器件市場規(guī)模增長，預(yù)計出貨量將由2020 年的 16.6 萬片增長至 2025 年的 43.8 萬片，期間復(fù)合增長率為21.5%。由于海外禁運，進(jìn)口替代需求強烈。3.導(dǎo)電型襯底主要用于電動車、新能源等領(lǐng)域的功率器件。碳化硅器件相比 IGBT 具有降低整車功耗、縮小模塊體積、降低無源器件使用等優(yōu)勢，在電動車逆變器、OBC、DC-DC上使用需求快速增加，在 2025 年有望迎來替代 IGBT 的“奇點時刻”，預(yù)計到 2026 年碳化硅功率器件市場規(guī)模將由 2022 年的 22 億美元增長到 60 億美元。4.目前國內(nèi)在各環(huán)節(jié)加速布局，襯底環(huán)節(jié)天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、三安光電、爍科晶體等公司具有一定競爭優(yōu)勢。
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