如何看待德龍激光長期成長空間？

多線布局高景氣賽道，SiC、鈣鈦礦、新型顯示打開長期成長空間。

1. SiC：掌握激光隱形切割技術(shù)，晶錠切割打造新成長曲線

用于多種材料晶圓加工、晶圓制造和先進(jìn)封裝環(huán)節(jié)。公司布局先進(jìn)封裝激光 開槽，鉆孔，激光輔助焊接、打標(biāo)等設(shè)備，集成電路和 LED 芯片的晶圓切割、刻 蝕，以及對光學(xué)鏡頭中光學(xué)鍍膜玻璃的切割處理等方面，不同的應(yīng)用場景下處理 的材料有所區(qū)別。（1）集成電路：用于硅/砷化鎵/碳化硅晶圓切割、劃片；（2） LED：用于對 LED 照明行業(yè)的藍(lán)寶石材料襯底的晶圓片進(jìn)行隱形切割、和氮化鎵 發(fā)光層激光剝離；（3）光學(xué)鍍膜玻璃（主要為濾光片）；對鍍膜光學(xué)玻璃、玻璃晶 圓等透明材料進(jìn)行隱形、精密切割。

碳化硅（SiC）在大功率器件應(yīng)用中優(yōu)勢顯著，行業(yè)成長前景廣闊。碳化硅 具有高熱導(dǎo)率、低能量損耗、高工作頻率等優(yōu)點，適用于高壓、高頻、高溫等應(yīng) 用場景。根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，2022 年全球 SiC 功率元件市場規(guī)模達(dá) 16.1 億美元， 預(yù)計 2026 年將增長到 53.3 億美元，2022-2026 年 CAGR 達(dá)到 35%。

碳化硅加工難度大，激光隱形切割優(yōu)勢明顯。碳化硅材料的硬度極高，僅次 于金剛石，同時又具有晶體的脆性，加工難度較大，良率低產(chǎn)出低，一定程度上 制約了碳化硅芯片的推廣普及。碳化硅晶圓劃片方法有砂輪劃片、激光劃片等方 式，其中砂輪劃片效率低、磨損大、易造成崩邊，已逐漸被激光劃片取代。激光 劃片方式又可分為激光全劃、激光半劃、激光隱形劃切、水導(dǎo)激光劃切等方式， 其中激光隱形劃切可實現(xiàn)表面無粉塵污染，幾乎無材料損耗，加工效率高。德龍 激光使用自產(chǎn)超快激光器可以實現(xiàn)隱形切割，是國內(nèi)少數(shù)幾家掌握激光隱形切割 技術(shù)的企業(yè)之一。

拓展碳化硅晶錠激光切片設(shè)備，進(jìn)一步開拓市場空間。切片是碳化硅單晶加 工過程的第一道工序，切片的質(zhì)量也決定了后續(xù)薄化、拋光等工序的加工水平。 目前針對碳化硅材料的切片工藝主要有固結(jié)磨料線鋸切片、激光切割、冷分離以 及電火花切片等技術(shù)，其中激光切割技術(shù)是通過激光處理在內(nèi)部形成改性層從碳 化硅晶體上剝離出晶片，具有材料耗損少、晶片產(chǎn)出高、良率可控、切割效率高 等優(yōu)勢。公司開發(fā)的碳化硅晶錠激光切片設(shè)備可最大支持 8 英寸晶錠分切、最大 切割速度 800mm/s，具有明顯的領(lǐng)先優(yōu)勢，目前已完成工藝研發(fā)和測試驗證，正 積極開拓市場。

2. 鈣鈦礦：首套鈣鈦礦電池生產(chǎn)整段激光設(shè)備已實現(xiàn)收入

鈣鈦礦太陽能電池屬于繼晶硅、薄膜之后的第三代太陽能電池，其化學(xué)通式 為 ABX3，其中 A 位離子通常是有機(jī)大分子或具有大離子半徑的元素，如甲胺離 子（MA+）、甲脒（FA+）或銫離子（Cs+）；B 位離子主要為 IVA 族金屬元素離子， 通常為二價鉛離子（Pb2+）、錫離子（Sn2+）；X 位通離子常為鹵素離子，主要為 碘離子（I-）、氯離子（Cl-）、溴離子（Br-）等。

與晶硅電池相比，鈣鈦礦太陽能電池具有高效率、低成本、實際發(fā)電量高、 用途廣泛等特點。高效率：鈣鈦礦材料在光電性質(zhì)上有很大優(yōu)勢，效率天花板高， 此外鈣鈦礦具有帶隙連續(xù)可調(diào)的特點，可制成鈣鈦礦/晶硅、鈣鈦礦/鈣鈦礦疊層電 池，進(jìn)一步打開效率天花板；低成本：鈣鈦礦太陽能電池原材料成本低、制備工 藝簡單、能耗低；實際發(fā)電量高：鈣鈦礦太陽能電池有良好的弱光性能，在早晨、 傍晚、陰天等弱光環(huán)境下仍可正常發(fā)電；用途廣泛：與晶硅相比，鈣鈦礦太陽能 電池重量輕，可制成透明組件、柔性組件，擁有更廣泛的用途。

鈣鈦礦設(shè)備市場空間廣闊。隨著相關(guān)企業(yè)加大布局和開發(fā)力度，鈣鈦礦電池 的產(chǎn)業(yè)化探索步伐逐漸加快，預(yù)計 2026 年鈣鈦礦電池新增產(chǎn)能達(dá) 16GW，2030年將達(dá) 161GW。目前鈣鈦礦單 GW 投資超過 10 億元，預(yù)計 2026 年下降至 7 億 元。我們測算 2026 年鈣鈦礦設(shè)備市場空間超百億，2030 年有望達(dá)到 966 億元。

激光劃線、清邊是鈣鈦礦單結(jié)電池生產(chǎn)的必要工序。目前，大面積鈣鈦礦太 陽能電池多采用串聯(lián)方式降低電阻，需要通過激光方式（P1-P3）在不同位置針 對不同功能層進(jìn)行劃線。此外，激光也可用于封裝前的清邊工序（P4）： 激光 P1 劃線：對 TCO 層進(jìn)行劃線切割，確定每個子電池的面積。 激光 P2 劃線：完成電荷傳輸層、鈣鈦礦層的制備后，使用激光清理出各子 電池之間串聯(lián)所需要的 TCO 區(qū)域，后續(xù)通過沉積電極層實現(xiàn)子電池的串聯(lián)。 激光 P3 劃線：完成電極沉積后，通過激光劃線分割相鄰子電池的正電極。 激光 P4 清邊：清理掉電池邊緣的膜層，為封裝做準(zhǔn)備。

公司首套鈣鈦礦電池生產(chǎn)整段激光設(shè)備已實現(xiàn)收入。公司早在 2009 年就推 出過非晶硅薄膜太陽能電池的激光刻蝕設(shè)備，對薄膜太陽能電池生產(chǎn)制造及激光 加工工藝有技術(shù)儲備及工藝沉淀。公司首套鈣鈦礦薄膜太陽能電池生產(chǎn)整段設(shè)備 （百兆瓦級，除 P1-P3 激光劃線設(shè)備及 P4 激光清邊設(shè)備之外，還包括 P0 激光 打標(biāo)設(shè)備）2022 年已交付客戶并投入使用，為客戶在國內(nèi)率先實現(xiàn)百兆瓦級規(guī)模 化量產(chǎn)提供了助力。目前公司正在開發(fā)針對鈣鈦礦薄膜太陽能電池的新一代生產(chǎn) 設(shè)備，對設(shè)備的加工幅面、生產(chǎn)效率等都進(jìn)行了迭代升級。公司從 2022 年下半 年開始一直在配合頭部客戶的新工藝開發(fā)，同時不斷開拓新客戶。

3. 新型顯示：Mini/Micro LED 市場廣闊，激光巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備已獲訂單

LED 產(chǎn)業(yè)鏈景氣度回溫。過去幾年受疫情及供需關(guān)系等因素影響，LED 行業(yè) 出現(xiàn)周期波動，2021 年開始產(chǎn)業(yè)鏈明顯回暖。以 LED 芯片為例，2019 年中國 LED 芯片市場規(guī)模下滑至 201 億元，2020 年市場開始回暖，2021 年市場規(guī)模提升至 305 億元，預(yù)計 2022 年將繼續(xù)增長至 324 億元。

新興顯示技術(shù)發(fā)展迅猛，Mini-LED 趨于成熟。從投資層面來說，高工 LED 預(yù)計繼 2020 年 Mini/MicroLED 等領(lǐng)域新增投資約 430 億元及 2021 年 Mini/Micro LED 等領(lǐng)域新增投資 750 億元之后，2022 年針對 Mini/Micro LED 等 LED 顯示領(lǐng) 域的投資也超過了 700 億元規(guī)模，產(chǎn)業(yè)鏈上中下游投資熱情高漲。

據(jù) DSCC 的數(shù)據(jù)，2021 年所有應(yīng)用的 Mini LED 面板出貨量為 980 萬片，預(yù) 計 2026 年將達(dá) 3700 萬片，2021-2026 年 CAGR 達(dá)到 30.4%。行家說 Research 預(yù)計，TV、MNT、Vehicle 和 VR 是 Mini LED 的增長賽道，以上市場 2022 年到 2026 年的復(fù)合增長率（CARG）分別是 66.23%、47.78%、154.57%和 30.5%。 Micro LED 方面，集邦咨詢預(yù)計 2026 年 Micro LED 大型顯示器的 4 吋 wafer 約 當(dāng)量為114萬片；芯片產(chǎn)值預(yù)計達(dá)27億美元，2021~2026年復(fù)合成長率約241%。 Mini/Micro LED 的高速增長，將為 LED 行業(yè)帶來新的增長極，相關(guān)設(shè)備需求前 景廣闊。

Micro LED 應(yīng)用瓶頸：巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)。隨著芯片尺寸的變小，Micro LED 對 芯片轉(zhuǎn)移的效率、精度等方面要求明顯提升。以 4K 電視為例，一臺 4K 電視為例， 需要轉(zhuǎn)移的晶粒高達(dá) 2400 萬顆，對晶粒轉(zhuǎn)移技術(shù)的精度、效率、穩(wěn)定性都提出 了很高的要求。整個制程對轉(zhuǎn)移過程要求極高，良率需達(dá) 99.9999%，精度需控 制在±0.5μm 內(nèi)，一次轉(zhuǎn)移需要移動幾萬乃至幾十萬顆 LED，數(shù)量巨大。

激光轉(zhuǎn)移技術(shù)優(yōu)勢明顯。Micro LED 巨量轉(zhuǎn)移已發(fā)展出精準(zhǔn)拾取轉(zhuǎn)移技術(shù)、 自對準(zhǔn)滾輪轉(zhuǎn)印技術(shù)、自組裝轉(zhuǎn)移技術(shù)、激光輔助轉(zhuǎn)移技術(shù)等多種技術(shù)方案，其 中激光輔助轉(zhuǎn)移技術(shù)在合適的工藝參數(shù)下可達(dá)到較高的良率、精度和轉(zhuǎn)移速率， 成為 Micro LED 巨量轉(zhuǎn)移的主流技術(shù)方案之一。

公司 Micro LED 巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備已獲訂單。德龍激光面向 Micro LED 推出了系 列全新解決方案，包括：Micro LED 激光剝離設(shè)備（可整面剝離/選擇性剝離）， Micro LED 激光巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備（可通過直轉(zhuǎn)/二次轉(zhuǎn)移等方式將三色芯片轉(zhuǎn)移到基 板上），Micro LED 激光修復(fù)設(shè)備，其中 Micro LED 激光剝離及激光修復(fù)設(shè)備已 交付客戶并實現(xiàn)收入，Micro LED 激光巨量轉(zhuǎn)移設(shè)備已獲得頭部客戶訂單。