標準銅箔結構、產業鏈、分類及供需格局分析

厚積薄發，領軍高端標箔國產替代。

1.標準銅箔：連接電子元器件導電體，覆銅板關鍵材料

標準銅箔是制造覆銅板（CCL）、印制電路板（PCB）的主要原材料，起到導電體的作 用。覆銅板是以環氧樹脂等為融合劑將玻纖布和銅箔壓合在一起的產品，主要起互連導 通、絕緣和支撐的作用，對電路中信號的傳輸速度、能量損失和特性阻抗等有很大的影 響。印制電路板由經過蝕刻、電鍍后的多層覆銅板壓合制成，是電子元器件的支撐體， 也是電子元器件電器相互連接的載體，不僅為電子元器件提供電氣連接，也承載著電子 設備數字及模擬信號傳輸、電源供給和射頻微波信號發射與接收等業務功能，絕大多數 電子設備及產品均需配備。

標準銅箔產業鏈上游參與者主要為銅箔原料供應商（陰極銅、硫酸），下游為覆銅板、印 制電路板制造商。PCB 終端應用于多樣領域，2021 年顯示 PCB 前四大應用領域為通訊、 計算機、消費電子和汽車，分別占比 32%、24%、15%和 10%。從 PCB 成本結構來看， 覆銅板占據 PCB 成本費用 43.59%，而銅箔占據覆銅板成本的 40%。

標準銅箔根據性能可以分類為常規銅箔和高性能類銅箔兩大類。常規銅箔多用于家用電 器和各種電子設備的普通覆銅板的合成制造。高性能 PCB 銅箔按照應用領域可以劃分為 五類，包括高頻高速電路用銅箔、IC 封裝載板用極薄銅箔、高密度互連電路（HDI）用 銅箔、大功率大電流電路用厚銅箔、撓性電路板用銅箔。RTF（反轉銅箔）與 HVLP（極 低輪廓銅箔）是高頻高速覆銅板硬板使用的主流產品。

2.需求： 中低端市場需求穩定，高端市場受益 5G、IDC 發展

中低端標箔產品需求保持穩定，國內 PCB 以普通多層板為主

下游市場規模穩定增長。隨著 5G 通訊、服務器升級、汽車電子增長的拉動，全球 PCB 產值規模保持穩定增長，從 2014 年的 574 億美元提升至 2021 年的 809 億美元，實現了 5.0%的 CAGR。其中，中國大陸市場 PCB 產值則從 262 億美元提升至 442 億美元，實現 了 7.8%的 CAGR。

從 PCB 產品結構來看，普通多層板占據 PCB 產品的主流地位。2021 年全球 PCB 市場以 多層板為主，占比達 38.6。中國 PCB 市場多層板占比達 47.6%。目前我國的高端印制電 路板占比相較其全球占比低。隨著電子電路行業技術的迅速發展，小型化、智能化趨勢 將使得市場對高密度、高多層、高技術 PCB 產品需求更為突出，高多層板、HDI 板、封 裝基板等技術含量更高的產品未來在 PCB 行業中占比將進一步提升。

高頻高速用銅箔有效降損耗，5G 和云計算發展拉動需求增長

高頻電路中存在“趨膚效應”，導致熱損耗、性損耗增大。PCB 傳輸損耗主要由介質損 耗、導體損耗和輻射損耗三部分組成。其中輻射損耗的影響一般較小；介質損耗和導體 損耗則主要受到電流分布以及導體粗糙度的影響。高頻電流或電壓在導體中傳導時，會 產生趨膚效應，即導體內的電流會集中在導體的表面。趨膚效應導致的熱損耗隨傳輸頻 率的增加而增大，同時導體粗糙度越大，信號傳輸時產生的“駐波”和“反射”等越大， 信號損耗越大。而低粗糙度的高頻高速用銅箔表面使得信號傳輸路徑相對較短，可以有 效改善趨膚效應，減小信號傳輸損耗。

高頻高速銅箔能夠有效改善趨膚效應，減小信號傳輸損耗。一般電路和器件互連的頻率 在 1GHz 以上的被稱為高頻。當信號頻率升高時，又往往需要通過提高信號傳輸速度的 方式來確保信號時序的有效性和完整性。高頻高速基板用銅箔處理面粗糙度小，如 HVLP2、HVLP3 的處理面粗糙度 Rz 值小于 1.5μm，遠低于其他銅箔，應用于高頻高速 覆銅板有助于減少信號損失。

HVLP 銅箔降低信號損失效果更明顯。采用 X6 板材（Very Low Loss 等級）分別搭配不 同銅箔制得損耗性能測試板，并用 FD 法測試相應的損耗值，可以得到與 HTE 銅箔相比， HVLP 銅箔的微帶線和帶狀線損耗比 HTE 銅箔小 12~16%，差異明顯；與 RTF 銅箔相比， HVLP 銅箔的微帶線損耗比 RTF 銅箔小 4~8%，帶狀線損耗小 8~12%。

5G 高速率、低時延的特點對其基站建設采用的 PCB 及銅箔提出了更高的要求。5G 數據 速率、數據流量、通道數量相比 4G 大幅提升，峰值數據速率從 1Gbps 提高到 20Gbps， 將在頻率速率、層數、尺寸以及光電集成上對 PCB 提出更高的要求，導致高速 PCB 層 數增加、面積增大，其中應用的高頻高速銅箔價值量也會隨之提升。

5G 基站加速建設推動高頻高速銅箔行業發展。截至 2022 年 9 月末，中國累計建成開通 5G 基站達到 222 萬個，比去年末新增 79.5 萬個，仍處在加速建設階段。根據十四五信 息通信行業發展規劃，預計到 2025 年每萬人擁有的 5G 基站數將從 2020 年的 5 個至少 增加至 26 個，即總共 364 萬座。

5G 加快建設的同時，云計算市場持續增長。2021 年全球云計算市場回暖，增速上漲至 32.44%，市場規模達 3307 億美元。中國云計算市場維持高速增長，仍處于快速發展階段， 市場規模達 3229 億元，同比增長 54.4%。

數據中心（IDC）作為支撐云計算市場的基礎設備，需求也隨之增長。近年來數據中心 市場規模保持穩定增長，2021 年 IDC 市場規模達 679.3 億美元，同比增長 9.79%。全球 數字經濟持續穩定增長，計算力作為關鍵生產力要素，成為推動經濟發展的核心驅動力。 因此我國各部門不斷出臺了相關政策推動數字經濟發展。2022 年 2 月 17 日，國家發改 委、中央網信辦、工信部、國家能源局聯合印發通知，同意在京津冀、長三角、粵港澳 大灣等 8 地啟動建設國家算力樞紐節點，并規劃了 10 個國家數據中心集群。全國一體化 大數據中心體系完成總體布局設計，“東數西算”工程正式全面啟動，為 IDC 建設發展 注入強大驅動力。

服務器作為 IDC 的核心設備決定數據運行的效率，5G 時代下的服務器需求量和承載要求 將逐步提升，推動高端 PCB 印制電路板以及高端標準銅箔需求。同時國內服務器廠商崛 起，疊加國內服務器市場穩步增長，為國產高頻高速銅箔廠商帶來發展機會。2021 年中 國服務器市場規模達 250.9 億美元，同比增長 15.9%，中國服務器出貨量達到 391.1 萬臺， 占比 28.9%，占比持續提升。

需求測算：預計 25 年市場空間約 200 億元，三年 CAGR10.4%

中低端標準銅箔方面，受消費電子行業需求低迷影響，22 年需求略微下降，預計 23-25 年 分 別 保 持 5%/7%/9% 的穩定增長， 對 應 22-25 年 銅箔需求 預計分別達到 52.5/55.2/59.0/64.3 萬噸，加工費方面，22 年中低端標準銅箔相比 21 年略有下降，假設 22-25 年分別為 2.4/2.4/2.5/2.5 萬元/噸；高端標準銅箔方面，受益 5G、云計算發展，預計 未來幾年高端標準銅箔需求增長維持中高速，預計 22-25 年行業增速分別為 30%/25%/20%/20%，對應 22-25 年高端標準銅箔需求預計分別達到 2.8/3.5/4.2/5.0 萬噸， 由于高端標準銅箔仍處于國產替代過程中，加工費水平較高，預計維持在 7 萬元/噸的水 平。整體來看，標準銅箔 25 年市場空間有望達到 195.7 億元，22-25 年 CAGR 為 10.4%。

3.供給：中低端競爭激勵，高端仍在國產替代中

高端標準銅箔仍由日資、臺資企業壟斷

國內標準銅箔生產仍以中低端銅箔為主流，產量總體保持穩健增長。受益于產業鏈下游 市場發展，2021 年我國標準銅箔產量 40.2 萬噸，同比增長 19.1%。其中高頻高速電路用 銅箔增長較快，2021 年產量為 1.28 萬噸，同比增長 69.6%。 行業集中度整體不高，腰部標準銅箔廠市場份額差距尚未拉開。2021 年標準銅箔市占率 CR3、5、10 分別為 43%、54%、75%。除龍頭企業外，排名相對靠前的中前部企業份額 基本位于 4%-7%左右。

內資企業在生產高頻高速銅箔方面與日資、臺資存在較大差距。2021 年全球高頻高速標 準銅箔銷售量中，中國大陸企業僅占比 7%，而日本企業占比 42%，中國臺灣地區企業占 比 41%。RTF 銅箔方面，中國臺灣地區的長春化工、南亞塑膠以及日本的三井金屬，分 別位居前三名，中國大陸占比僅 9.6%；VLP+HVLP 銅箔方面，三井金屬以約 7000 噸銷 量，位居市場占有率首位，占比 32.9%，中國大陸內資企業產量僅有 100 噸，占比 0.5%。

高端銅箔技術壁壘高，仍由日韓企業供給為主

標準銅箔最重要的兩大性能指標為粗糙度與剝離強度。低粗糙度可以減少信號損耗，尤 其在高頻信號下表現更為明顯；而高剝離強度使得銅箔與樹脂結合制成的覆銅板更為穩 定，二者不可或缺又互為矛盾。因此處理面粗糙度要求更高的高頻高速用銅箔生產尤為 困難，目前我國高頻高速基板用銅箔依賴進口。在國內的高頻高速銅箔市場中，需求最 高的 RTF2 銅箔主要供應廠商為臺資企業，占比 40%。而 HVLP 銅箔在國內市場的生產 供應大部分來自日資企業。

同時解決極低的表面輪廓度與高剝離強度的技術壁壘目前主要有四個工藝路線：涂敷底 膠、瘤化處理、銅箔表面化學處理、偶聯技術。但大部分專利技術均由日企所持有，后 進入者研發成本高，國內企業亟待突破。 涂敷底膠：即在銅箔層壓面進行薄涂覆底膠。2018 年，三井金屬銅箔公司推出 FSP501 極薄、超低輪廓帶載體型電解銅箔。其厚度為 1.5~3.0μm，Rz 為 1.4μm。涂敷薄膠層提 高了剝離強度，與 FR-4 基材可達到 1.2 kg/cm。但這種方法會對電氣性能造成較大損失；

瘤化處理：指將銅箔在含有硫酸銅的溶液中進行粗化層電沉積處理，使銅箔表面生成松 散的瘤體，增強與基材的結合力。再進行固化，使粗化瘤體被正常的銅鍍層所包圍及加 固，降低粗糙度。日本福田金屬箔粉工業株式會社在 2019 年間推出的 CF-T4X-SV 極低 粗糙度銅箔，采用了獨創的微細粗化處理技術，大幅降低了粗糙度。同時粗化面處理后 形成的瘤化粒子帶來了“高錨栓”效果，使得其具有較高的銅箔剝離強度； 銅箔表面化學處理：如松下 2019 年 12 月公布的超低輪廓銅箔壓合面的表面處理新技術 CuTAP，使得銅箔表面上納米級晶粒構成微小凹凸狀，擴大了比表面，使得樹脂與銅箔 的黏接強度得到提高。同時加入保護膜，提高基板耐熱性，確保了 250 ℃下銅箔光滑面 的抗氧化性能良好； 偶聯技術：即在銅箔與樹脂的界面間運用偶聯技術、偶聯劑復配技術。經過偶聯劑改性 后的銅箔與基材樹脂的耐熱結合力，比未做偶聯劑改性的基材有所提高。