半導(dǎo)體設(shè)備市場空間及需求情況如何？

涂膠顯影設(shè)備市場需求持續(xù)攀升。

涂膠顯影設(shè)備是半導(dǎo)體制造光刻工藝中的關(guān)鍵設(shè)備，主要用于半導(dǎo)體光刻工藝中的光刻膠涂布和顯影過 程。涂膠顯影設(shè)備的性能直接影響到光刻工序細(xì)微曝光圖案的形成，以及顯影工藝的圖形質(zhì)量，對后續(xù) 蝕刻和離子注入等工藝中圖形轉(zhuǎn)移的結(jié)果有著深刻的影響，是集成電路制造過程中不可或缺的關(guān)鍵處理 設(shè)備。根據(jù)不同的應(yīng)用需求，涂膠顯影設(shè)備可以劃分為前道涂膠顯影設(shè)備和后道涂膠顯影設(shè)備，前道用 于晶圓制造前道工藝，后道用于封裝環(huán)節(jié)中的相關(guān)工序。 半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)具有較高的技術(shù)壁壘、市場壁壘和客戶認(rèn)知壁壘，以美國應(yīng)用材料、荷蘭阿斯麥、美國 泛林集團(tuán)、日本東京電子、美國科天等為代表的國際知名企業(yè)占據(jù)了全球半導(dǎo)體設(shè)備市場的主要份額。 目前，我國涂膠顯影設(shè)備國產(chǎn)化正處于加速推進(jìn)階段，但整體國產(chǎn)化率仍相對較低，尤其是在精度和分 辨率、工藝穩(wěn)定性和可靠性、產(chǎn)能和效率等方面與國際先進(jìn)水平相比存在一定技術(shù)差距。但是隨著國家 對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重視和支持力度不斷加大，以及國內(nèi)企業(yè)在技術(shù)研發(fā)、人才培養(yǎng)等方面的持續(xù)投入，我 國涂膠顯影設(shè)備的國產(chǎn)化進(jìn)程有望不斷加快，未來市場發(fā)展?jié)摿薮蟆?受益于市場景氣度復(fù)蘇影響，晶圓廠資本開支增加，產(chǎn)能逐步擴(kuò)張，為涂膠顯影設(shè)備等半導(dǎo)體設(shè)備廠商 帶來良好機(jī)遇。根據(jù)國海證券研究所測算數(shù)據(jù)，2022/2023/2024/2025 年全球前道涂膠顯影設(shè)備市場 空間為 38/38/39/45 億美元，2025 年中國大陸前道涂膠顯影設(shè)備市場空間預(yù)計將達(dá)到 18 億美元，約 合 130 億元；其中，2025 年中國大陸 KrF 及以下節(jié)點、ArFi、其他涂膠顯影設(shè)備市場空間為 9.4/6.0/2.7 億美元。

在 AIGC 等高算力需求持續(xù)釋放背景下，全球服務(wù)器市場自 2024 年起步入新一輪成長周期。IDC 預(yù)測， 2024–2029 年全球服務(wù)器市場年均復(fù)合增長率（CAGR）將達(dá) 18.8%，其中加速型服務(wù)器支出年均增速 達(dá) 20%以上，顯著高于傳統(tǒng)非加速型產(chǎn)品。 隨著 AI 服務(wù)器、高算力基礎(chǔ)設(shè)施等新興需求驅(qū)動，行業(yè)自 2024 年起逐步復(fù)蘇，并呈現(xiàn)出顯著的產(chǎn)品結(jié) 構(gòu)升級趨勢。隨著終端需求傳導(dǎo)，國內(nèi)主流 PCB 廠商積極擴(kuò)產(chǎn)，資本開支加速上行，布局 HDI、多層 板等高端方向。 2023 年后道封裝設(shè)備占半導(dǎo)體設(shè)備的價值量比重約 5%，固晶機(jī)/劃片機(jī)/鍵合機(jī)等為核心設(shè)備。根據(jù) SEMI 預(yù)測，2025 年全球半導(dǎo)體封裝設(shè)備市場規(guī)模有望達(dá) 417 億元，其中固晶機(jī)（貼片機(jī)）占比 30%， 劃片機(jī)（切片機(jī)）占比 28%，鍵合機(jī)占比 23%。

我國半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化率相對偏低，根據(jù) EEPW，2024 年除去膠設(shè)備、清洗設(shè)備、刻蝕設(shè)備和熱處理 設(shè)備國產(chǎn)化率超 30%外，PVD/CVD/ALD、CMP、涂膠顯影、離子注入、量檢測和光刻等環(huán)節(jié)的國產(chǎn) 化率仍低于 20%，分別為 5-20%、30-40%、5-10%、10-20%、1-10%和 0-1%。過去國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備國 產(chǎn)化的主要方向聚焦于晶圓制造領(lǐng)域，目前先進(jìn)封裝等后端設(shè)備在芯片制造中扮演的角色日益重要，根 據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)，2025 年后端設(shè)備總收入約為 69 億美元，預(yù)計到 2030 年將增長至 92 億美元，復(fù)合年增 長率為 5.8%，目前國內(nèi)供應(yīng)商僅滿足不到 14%的內(nèi)部后端設(shè)備需求。

3.半導(dǎo)體測試設(shè)備快速增長

伴隨人工智能快速發(fā)展，由其驅(qū)動的相關(guān)半導(dǎo)體測試設(shè)備的需求也快速增長。（1）全球 AI 計算測試設(shè)備的市場規(guī)模快速增長，2024 年達(dá) 23 億美元。集成電路生產(chǎn)過程中需要進(jìn)行 WAT 測試、CP 測試和 FT 測試等，其中 WAT 測試、CP 測試主要針對封 測工藝前的晶圓測試，F(xiàn)T 測試針對封裝后的芯片測試，伴隨芯片復(fù)雜性和集成度持續(xù)攀升，測試的重 要性持續(xù)凸顯。根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)，全球集成電路測試設(shè)備的市場規(guī)模 2024 年為 75.4 億美元，到 2026E 將達(dá)到 97.7 億美元，同比增 29.58%。根據(jù)全球測試機(jī)龍頭公司 Teradyne25Q2 業(yè)績電話會內(nèi)容，公司 預(yù)估 2024 年全球 AI 計算（包括 VIPASIC、Merchant GPU 等）測試設(shè)備的市場規(guī)模為 23 億美元，并 將持續(xù)成長。

（2）HBM 產(chǎn)品迭代帶來不斷增加的測試需求。得益于英偉達(dá)等 AI 芯片客戶對 HBM 的強(qiáng)勁需求，SK 海力士在 HBM 市場領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，且 2025 年 9 月 12 日海力士宣布已成功完成面向 AI 的超高性能存儲器新產(chǎn)品 HBM4 的開發(fā)，并在全球首次構(gòu) 建量產(chǎn)體系。

伴隨 HBM 產(chǎn)品的迭代，HBM 內(nèi)存的堆棧由 8 層 DRAM 芯片組成往 12 層不斷發(fā)展，再加上一顆基底 芯片（BaseDie），以前每顆 DRAM 芯片、BaseDie 都要進(jìn)行晶圓級測試，以及進(jìn)行 DRAM 芯片和 BaseDie 堆疊后的晶圓測試（Pose-Stack Wafertest）；但由于 HBM 產(chǎn)品的質(zhì)量問題，經(jīng)常導(dǎo)致 HBM 產(chǎn)品封裝好與 AI 加速芯片組裝完成后的芯片出現(xiàn)問題從而影響最終產(chǎn)量，因此有些公司正在考慮增加 一個測試步驟，即 HBM 堆棧晶圓切割成單獨的 HBM 堆棧后增加一個測試步驟，以期能提高質(zhì)量。

（3）服務(wù)器測試設(shè)備需求快速增長AI 大模型參數(shù)規(guī)模的快速增長，帶來超大計算能力和內(nèi)存。資源需求，超節(jié)點技術(shù)孕育而生。以英偉達(dá) 基于 NVLink 的 NVL72 方案為例，整個系統(tǒng)由 18 個 Compute Tray 和 9 個 Switch Tray 構(gòu)成，其中 1 個 Compute Tray 包含 2 個 GB200 超級芯片（Superchip)，每個 GB200 超級芯片有 2 個 Blackwell 系 列的 B200GPU；1 個 Switch Tray 包含 2 顆 NVLINK Switch 芯片，整個機(jī)柜后部通過線纜將 Compute Tray 和 Switch Tray 進(jìn)行互聯(lián)。

隨著機(jī)柜越來越復(fù)雜，為了保障機(jī)柜的正常使用，必須對服務(wù)器進(jìn)行一系列的測試包括但不限于 ICT、 FCT、老化、SIT、性能、兼容性測試等，而相關(guān)測試設(shè)備供應(yīng)商的重要性逐漸凸顯，且需求量快速增 長。