半導體設備國產替代進展如何？

關稅影響有望加速國產替代。

芯片行業的關稅充滿了不確定性，美國對于中國芯片行業的制裁愈發嚴厲，一方面對美系廠商的出口造 成不利影響，另一方面或加速半導體行業的自主可控。半導體設備作為芯片行業的基石，國產替代進展 直接關系國內芯片產業的發展，半導體設備行業有望率先完成美系廠商的替代。

美系設備廠商收入成長嚴重依賴中國大陸市場。2020 年至今，美系半導體設備廠商對中國大陸的銷售 規模持續提升。2024 財年 AMAT、LAM、KLA 對中國大陸的銷售規模分別為 101.17、62.94、41.97 億 美元，占比分別達到 37%、42%、43%。從替代規模來看，2024 財年三大美系廠商在中國大陸銷售規 模超過 200 億美元，國產半導體設備的成長空間較為廣闊；從替代可能性來看，國產設備已具備成熟制 程大部分環節的國產替代，并有望加速先進制程替代。

半導體設備大類基本實現國產替代，其中刻蝕區，清洗區，薄膜區域的覆蓋率相對突出。國內已在相關 設備領域涌現一批杰出企業，包括上海微電子、北方華創、中微公司、拓荊科技、華海清科、盛美上海、 微導納米等。其中，光刻環節的光刻機/涂膠顯影機，量測環節的量檢測設備仍然是國產企業攻關的重 點。總體來看，國產設備目前正處于從“能用”到“好用”的過渡階段，設備一致性需要在產線上不斷跑片 來迭代升級。

從國產化工藝覆蓋點來看，光刻機、量測設備、離子注入機、涂膠顯影機亟需突破，刻蝕設備、清洗設 備、薄膜沉積設備的大部分工藝機型均在 28nm 節點取得量產突破，少部分環節已經取得 5nm 的快速進展。根據中國半導體協會，亟待突破的國產半導體設備：高能離子注入機、明/暗場缺陷檢測、KrF 光刻機、HDPCVD、高溫退火爐管（1200℃-1250℃）。

當前，涂膠顯影設備行業集中度較高，全球涂膠顯影設備主要制造商包括日本東京電子（TEL）、日本 迪恩士（DNS）、德國蘇斯微（SUSS）、中國臺灣億力鑫（ELS）、韓國 CND 等。 前道涂膠顯影設備主要被日本東京電子（TEL）所壟斷。前道涂膠顯影設備的市場和工藝技術長期以來 均被國外廠商如日本東京電子（TEL）所壟斷，特別是 28nm 及以下節點的 ArFi 浸沒式涂膠顯影設備， 我國目前完全尚未掌握此項技術。根據日本東京電子官網數據，2023 年 TEL 涂膠顯影設備 （Coater/Developer）在全球的市占率達 90%。

我國涂膠顯影設備國產化正處于加速推進階段，但整體國產化率仍相對較低。國內部分廠商在涂膠顯影 設備領域已經取得了一些成果。例如，芯源微成功推出了包括 offline、i-line、krf、arf 浸沒式等在內的 多種型號產品，其 arf 浸沒式高產能涂膠顯影設備已獲得國內 5 家重要客戶訂單，在高端 ntd 負顯影、 soc 涂布等新機臺銷售方面也有良好進展，打破了國外廠商在該領域的壟斷，實現了 28nm 及以上節點 設備的國產替代。 盡管有突破，但整體來看，當前國內前道涂膠顯影設備國產化率仍較低，與國際先進水平仍存在一定差 距，全球市場主要被日系等廠商壟斷，像東京電子在我國涂膠顯影設備市場就占據了較大份額。隨著國 家對半導體產業的重視和支持力度不斷加大，以及國內企業在技術研發、人才培養等方面的持續投入， 我國涂膠顯影設備的國產化進程有望不斷加快，未來發展前景較為廣闊。

2024 年主要半導體設備和材料上市公司的研發費用總計分別為 100.5 億元和 28.3 億元，同比增速分別 為 42.5%和 19.3%，國產替代目前已經完成了從 0 到 1 的突破，后續需要進一步加大研發投入，在中高 端產品層面超越海外領先廠商。