電子行業(yè)晶圓代工專題2：存儲(chǔ)代工需求放量疊加產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，大陸本土邏輯代工景氣度上行.pdf

電子行業(yè)晶圓代工專題2：存儲(chǔ)代工需求放量疊加產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，大陸本土邏輯代工景氣度上行。引言：AI 加速存儲(chǔ)需求爆發(fā)，存儲(chǔ)行業(yè)開啟新一輪上行周期，推動(dòng)存儲(chǔ)廠商產(chǎn)能擴(kuò)張及 技術(shù)迭代，無(wú)論是 NAND 和 DRAM 的存儲(chǔ)-邏輯雙晶圓架構(gòu)，還是 HBM 的 Base Die 的工藝升級(jí)，共同打開存儲(chǔ)領(lǐng)域?qū)壿嫶さ男枨笤隽俊１疚膶⒕劢?DRAM、NAND 及 HBM 三大核心產(chǎn)品，以及 CoWoS 中介層需求和成熟制程產(chǎn)能轉(zhuǎn)移，測(cè)算大陸 Fab 邏 輯代工的增長(zhǎng)潛力。

DRAM：隨著 DRAM 工藝制程逐步發(fā)展，其外圍電路工藝從 HKMG 發(fā)展至 FinFET。 據(jù) YOLE 數(shù)據(jù)，行業(yè)目前正在推進(jìn) CMOS 鍵合陣列（CBA）技術(shù)研發(fā)與落地，泛林也 表示在 4F²中 CMOS 部分將會(huì)與存儲(chǔ)列陣以 Bonding 形式相結(jié)合，海力士也在推動(dòng)此 類技術(shù)發(fā)展，CBA 架構(gòu)為存儲(chǔ)密度的持續(xù)提升開辟新的技術(shù)路徑。據(jù)我們測(cè)算，在 CMOS 邏輯晶圓與 DRAM 晶圓 1:1 鍵合的模式下，DRAM CBA 架構(gòu)預(yù)計(jì)在 2030 年為 全球邏輯代工市場(chǎng)新增 71 萬(wàn)片/月產(chǎn)能需求，其中本土邏輯代工需求將達(dá)到 49 萬(wàn)片/ 月。

NAND：在 3D NAND 領(lǐng)域，國(guó)際市場(chǎng)長(zhǎng)期以 PNC、PUC 架構(gòu)為主流，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)依 托獨(dú)創(chuàng)的 Xtacking 架構(gòu)實(shí)現(xiàn)技術(shù)突圍。該架構(gòu)可搭載更先進(jìn)的邏輯工藝，進(jìn)而大幅提 升 NAND 產(chǎn)品的性能。隨著 NAND 外圍電路要求逐步提高至 HKMG，分離架構(gòu)是一種 更好的選擇，海外廠商正逐步跟進(jìn)布局類似 Xtacking 的 CBA 架構(gòu)，其中鎧俠已率先將 CBA 技術(shù)導(dǎo)入 3D NAND 量產(chǎn)產(chǎn)品線，據(jù)我們預(yù)計(jì)，在 2030 年 NAND 將會(huì)給邏輯晶 圓代工需求帶來(lái) 142.8 萬(wàn)片/月的需求，其中本土廠商帶來(lái)的需求為 59 萬(wàn)片/月。

HBM 及 CoWoS：在 HBM3E 及之前的版本中，Base Die 均由存儲(chǔ)廠商自主采用 DRAM 制程完成制造，但是隨著 AI 服務(wù)器性能不斷增長(zhǎng)，Base Die 要求也隨之升級(jí)。我們預(yù) 計(jì)到 2030 年 HBM 將會(huì)帶來(lái)的 12 寸晶圓產(chǎn)能需求大約為 7 萬(wàn)片/月，本土需求大約為 1.4 萬(wàn)片/月。CoWoS 需求持續(xù)火熱，據(jù)我們預(yù)計(jì)，CoWoS 中介層對(duì) 12 寸晶圓的需求 在 2030 年將會(huì)達(dá)到 15.6 萬(wàn)片/月，其中本土需求為 3.9 萬(wàn)片/月。

產(chǎn)能轉(zhuǎn)移：據(jù) TrendForce 數(shù)據(jù)，受臺(tái)積電、三星主動(dòng)削減 8 英寸產(chǎn)能影響，2025 年 全球 8 英寸產(chǎn)能同比下降約 0.3%，2026 年收縮幅度預(yù)計(jì)擴(kuò)大至 2.4%。結(jié)合 SEMI、 TrendForce 及 Omdia 數(shù)據(jù)測(cè)算，若臺(tái)積電、三星全面退出 8 英寸晶圓制造，將導(dǎo)致 全球 8 英寸產(chǎn)能減少約 10%。在 12 英寸領(lǐng)域，臺(tái)積電亦逐步縮減其成熟制程產(chǎn)能。 隨著臺(tái)、韓廠商成熟制程產(chǎn)能持續(xù)收縮，國(guó)內(nèi)晶圓廠有望承接更多外溢需求。