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      天岳先進主營產品、股權結構及營收分析

      天岳先進主營產品、股權結構及營收分析

      最佳答案 匿名用戶編輯于2024/02/28 15:45

      國內 SiC 襯底龍頭,開啟導電型襯底新市場。

      1. 國內 SiC 襯底龍頭廠商之一

      天岳先進是我國 SiC 襯底龍頭廠商之一,主營產品包括半絕緣型襯底 和導電型襯底。天岳先進是寬禁帶半導體襯底材料龍頭廠商之一,主要 從事 SiC 襯底的研發、生產和銷售。自 2010 年成立以來,天岳先進一 直致力于 SiC 材料的研發與創新。公司于 2015 年具備 4 英寸半絕緣襯 底材料量產能力。2017 年,公司自主研發出六英寸半絕緣型 SiC 襯底 產品,實現我國核心戰略材料的自主可控。2020 年子公司上海天岳成 立,其將作為 SiC 半導體材料項目的實施主體,預計 2026 年實現產能 30 萬片/年。目前公司已經具備 2/4/6 英寸襯底量產能力,主要研發方 向為大尺寸襯底材料的制造和襯底生長及缺陷控制技術,均已取得一定 進展。2022 年 9 月公司宣布成功研發了 8 英寸 SiC 襯底,目前未達到 量產的程度,項目研發進展順利。

      主營產品下游應用場景包括通訊、國防軍工、新能源等領域。公司主營產品為 SiC 襯底,SiC 襯底是一種由碳和硅兩種元素組成的半導體單 晶材料,可以開發出更適應高壓高溫高功率的新一代半導體器件。SiC 襯底按照電學性能的不同可以分為半絕緣型襯底與導電性襯底,經過外 延生長后分別應用于不同的領域。半絕緣型 SiC 襯底和導電型襯底為 公司主營產品,除此之外,公司還銷售不合格的晶棒及襯底。

      半絕緣型 SiC 襯底:半絕緣型 SiC 襯底具有高電阻率(電阻率≥105 Ω〃cm),半絕緣型襯底加上異質氮化鎵外延片可以作為射頻器件的材 料,主要應用于 5G 通訊、國防軍工等領域。

      導電型 SiC 襯底:導電型 SiC 襯底具有低電阻率(電阻率區間為 15~30mΩ〃cm),導電性 SiC 襯底加上 SiC 的同質外延可以作為做功 率器件的材料,主要的應用場景為新能源汽車、光伏、軌交等領域。

      不合格襯底、晶棒:非半導體級的半絕緣型 SiC 晶棒可作為寶石晶棒 用于加工制成莫桑鉆等珠寶首飾進入消費品市場,或用于設備研發與測 試等領域。不合格襯底可用于設備研發測試或科研等用途。

      2.股權結構穩定,股權激勵增加團隊積極性

      公司股權結構穩定,股權激勵有利于激發團隊積極性。截至 2023 年 2 月中旬,天岳先進實控人宗艷民先生直接持有公司 30.09%的股份,為 公司第一大股東。公司第二大股東為新疆國新股權投資管理有限公司, 持股比例為 9.00%,第三大股東為遼寧中德產業股權投資基金合伙企 業,持股比例為 7.93%。第四大股東為華為控股的哈勃科技,哈勃 2019 年入股天岳先進。實控人宗艷民先生帶領團隊致力于 SiC 半導體 材料研發,先后攻克了原料提純、SiC 材料生長及缺陷控制、襯底加工 等一系列難題,實現 2-6 英寸寬禁帶半導體材料研發和產業化,保證了 國家核心戰略材料的自主可控。目前天岳先進通過上海傲鑄,上海麥明 兩家有限公司作為員工持股平臺,實現了對于核心團隊人員的股份激勵。 首席財務官,首席技術官以及技術銷售團隊中核心人員均持有一定比例 的公司股份,充分激發團隊積極性。

      設立多家子公司分別負責 SiC 襯底的研發、銷售、原材料設備采購等 環節。公司下屬多家子公司分別承擔 SiC 襯底的研發、銷售、原材料設備采購等工作。其中上海越服負責 SiC 生產相關原材料及設備的采 購;天岳新材料未來擬作為“山東省 SiC 材料重點實驗室項目”的運 營主體。

      3.業務規模不斷增加,規模效應顯現

      近年來整體營收快速增長,22 年營收稍有下滑。近五年內,公司整體 營 收 呈 上 行 趨 勢 ,2018-2021 年,公司營收分別為 1.36/2.69/4.25/4.94 億元,保持較高的增長率,這主要是源于公司掌握 了半絕緣型襯底的核心技術維持主營業務收入的不斷增長以及下游需求 不斷增加。22 年前 3 季度,疫情及國際形勢對新建產能進度帶來影響, 產線、設備調整導致公司產能下滑,導致整體營收降低。公司正積極調 整產線、設備,優化產品結構。

      半絕緣型襯底響應國家戰略,成為公司主要營收來源。SiC 襯底是半導 體產業前沿、基礎的核心材料,為服務于國家戰略,公司在 2018- 21H1 階段主要集中生產半絕緣型襯底,導電型襯底占銷售比重較低。 整體來看,半絕緣型襯底在近四年內為公司主要營收來源,占營收比重 平均 70%以上。半絕緣型襯底銷量快速增長。主要有三部分的原因:1) 下游需求旺盛、半導體行業景氣度上行。2)公司掌握有絕緣型襯底的 核心技術,技術過硬、產品優質。3)公司持續擴張產能,保證供貨。 其他業務收入主要為晶棒和不合格襯底銷售收入,其中晶棒銷售占比超 85%。

      半絕緣襯底毛利率提升,短期整體盈利受產能調整影響。1)毛利率: 2018-2022Q3 公司毛利率為
      25.7%/37.9%/35.3%/28.5%/-10.8%,整 體呈現先升后降趨勢,其變動主要來自產品的單價和原材料價格的波動。 公司主營業務收入主要來自半絕緣型襯底,2018-2019 期間,受益于半 絕緣型襯底材料單價提升和成本降低,企業毛利率持續提升。2019- 2021 期間,半絕緣型襯底單價下降使得企業毛利率降低。2022 前三季 度,產線設備調整導致臨時性產能下滑,毛利率大幅下降。2)凈利率: 2018-2022Q3 凈利率為-30.9%/-74.7%/-151.1%/18.2%/-43.5%,2018 年凈利率為負,系利息支出較高。2019/2020 年凈利率為負,系高股利 支付等非經營性因素,2021 年管理費用率恢復正常,凈利率轉負為正。

      規模效應顯現,研發投入持續高增。2018-2022 年 Q3 期間費用率分別 為
      66.4%/121.8%/179.0%/27.4%/52.5%,整體呈現先增后降的趨勢。1) 銷售費用:2018-2021 年期間公司銷售費用率穩定在 2%以下,波動較 小。2022 年前三季度提升至 4%主要是由于公司業務規模的迅速擴張, 如贈送的 6 英寸樣本數目增加和銷售人員薪酬提升。2)研發費用: 2018-2022 年 Q3 期間研發費用分別為 0.12/0.19/0.46/0.74/0.87 億元, 整體呈現穩步上升趨勢,但 22 年前三季度該比率出現大幅度增長,提 升至 32.3%。其原因在于研發項目為 6 英寸及以上大尺寸項目,原材 料設備單價較高,且公司研發項目數量較多,研發產品尚未能投產銷售沖減研發費用。3)管理費用:公司 2018-2022 年 Q3 管理費為 0.23/2.60/6.99/0.57/0.59 億 元 , 占 比 為 16.98%/96.94%/164.56%/11.52%,公司 19/20 年管理費用大幅度上升 系員工股權激勵帶來高股利支付,19/20 年分別支付股利 2.36/6.58 億 元。此外 2020 年期間實行的項目咨詢和上市準備工作使得管理費用大 幅度提升。之后在 21 年降至 11.5%,2022 年三季度,該比率為 21.9%,恢復正常水平。4)財務費用:2018-2022 年 Q3,公司財務費 用為 0.53/0.46/0.13/-0.06/-0.15 億元,財務費用持續下降主要是因為公 司削減債務比例,依靠股權融資生產經營,使得利息費用不斷下降。

      產品優化結構調整,扣非凈利潤短期承壓。2019-2021 年,公司扣非 凈利潤均為正,分別為 0.05/0.23/0.13 億元。相較于營收規模及增速, 公司扣非凈利潤規模較小、增速較緩,公司不斷優化產品結構,導致研 發費用持續上行。2021 年,公司 8 英寸寬禁帶 SiC 半導體單晶生長及 襯底加工關鍵技術項目等大尺寸項目進入研發攻堅階段,研發費用進一 步上升。2022 年前三季度,公司增加大尺寸及 N 型產品研發投入導致 研發費用增加,市場推廣導致銷售費用同比上漲,上市、人員增加、產 能建設等導致管理費用上漲。三費的增加導致公司在 21-22 年扣非凈利 潤大幅下降。公司不斷優化產品結構、擴充產能,在建項目未來投產之 后,扣非凈利潤有望大幅回升。

      參考報告

      天岳先進(688234)研究報告:SiC襯底龍頭廠商,開啟導電型襯底新市場.pdf

      天岳先進(688234)研究報告:SiC襯底龍頭廠商,開啟導電型襯底新市場。天岳先進是我國SiC襯底龍頭企業。公司成立于2010年,主營產品包括半絕緣型SiC襯底、導電型SiC襯底,目前已具備2/4/6寸SiC襯底量產能力,8英寸SiC襯底研發進展順利,全流程技術自主可控。公司營收由2018年的1.36億元增長到2021年4.94億元,CACR為38%,其中主營占比最大的半絕緣型SiC襯底業務,2020年市場份額全球第三。導電型襯底項目預計2026年100%投產,隨著新能源車和光伏市場的發展有望成為最大業務增量。新能源汽車等下游產業鏈應用爆發,SiC襯底供不應求。(1)SiC襯底特點:SiC具...

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