天岳先進(jìn)在AI數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)及先進(jìn)封裝領(lǐng)域的碳化硅應(yīng)用前景如何？

天岳先進(jìn)在AI數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)及先進(jìn)封裝領(lǐng)域的碳化硅應(yīng)用，主要基于SiC材料在高頻、高壓、高熱導(dǎo)率方面的物理優(yōu)勢(shì)，具體體現(xiàn)在以下兩個(gè)核心場(chǎng)景： 首先，固態(tài)變壓器（SST）是SiC進(jìn)入中壓配電和AI數(shù)據(jù)中心供電架構(gòu)的關(guān)鍵載體。傳統(tǒng)變壓器功能單一且交付周期長(zhǎng)，而SST通過高頻功率電子變換，可將13.8-35kVAC中壓輸入直接轉(zhuǎn)換為800VDC輸出，并集成電壓調(diào)節(jié)、隔離、功率質(zhì)量控制和儲(chǔ)能接口。SiC器件在中壓場(chǎng)景下可實(shí)現(xiàn)更高開關(guān)頻率和更低導(dǎo)通損耗，從而縮小磁性器件體積與重量。隨著AI數(shù)據(jù)中心對(duì)電力接入周期和效率要求的提高，SST有望解決變壓器供給缺口，帶動(dòng)SiC在中壓模塊、封裝和高可靠襯底體系的需求增長(zhǎng)。 其次，SiC Interposer有望成為AI芯片先進(jìn)封裝的增量市場(chǎng)。隨著AI和HPC芯片功率耗散增加，傳統(tǒng)硅中介層和有機(jī)基板在熱梯度、機(jī)械可靠性和供電效率上逐漸接近極限。單晶SiC熱導(dǎo)率高，具備高剛性、高穩(wěn)定性和高電阻率，理論上可支持大面積中介層或散熱結(jié)構(gòu)。Coherent等廠商已推出金剛石-SiC復(fù)合散熱材料，應(yīng)用于direct-to-chip heat spreader等場(chǎng)景。天岳先進(jìn)作為襯底廠商，其12英寸材料一致性、表面加工能力以及與先進(jìn)封裝工藝的兼容性，將成為進(jìn)入該增量市場(chǎng)的關(guān)鍵指標(biāo)。 綜上，這些新興應(yīng)用不僅拓展了SiC的應(yīng)用邊界，也為天岳先進(jìn)提供了超越傳統(tǒng)功率器件賽道的第二增長(zhǎng)曲線。