天岳先進經營亮點在哪？

技術積累帶來良率提升，6 寸導電型加速擴產滿足下游需求。

1.技術工藝提高、良率穩健提升，帶來成本降低

公司碳化硅襯底單位成本逐年降低，2021 年毛利率已達國際龍頭廠商 水平。公司半絕緣型襯底單位成本從 2018 年的 8708.6 元降到 2021H1 的 4683.8 元。襯底單位成本不斷下降，帶來毛利率快速上升， 2018 年公司毛利率顯著低于其他龍頭公司，2021 年 H1，公司毛利率 達到國外同行的毛利率水平。公司襯底成本不斷降低的原因有：1）良 率提升：公司生產工藝不斷改進，半導體晶體的良率持續提升；2）單 位成本中折舊費用下降：公司技術突破，在擴產中開始使用國產長晶爐 使得單位成本中的機器設備的折舊費用亦下降；3）規模效應顯現：技 術進步帶來晶體生長周期下降，產出效率有所提高，公司產能產量持續 擴大，規模效應帶動成本下降。

公司多年技術積累，核心工藝不斷完善。公司多年來經過持續的研發， 已經掌握多項核心技術。具體包括：SiC 單晶生長設備、熱場設計制造 技術，高純 SiC 粉料制備技術，精準雜質控制技術及電學性能控制技 術，SiC 單晶應力和缺陷控制技術，SiC 單晶襯底超精密加工技術。截 至 2022 年 6 月末，公司累計獲得境內發明專利授權 110 項，實用新型 專利授權 320 項，境外發明專利授權 8 項。核心生產環節工藝技術的 不斷完善，是襯底良率及性能的重要保障。

工藝水平的完善帶來晶棒/襯底良率增長。受益于公司工藝水平的持續 提高，公司晶棒良率由 2018 年 41%上升到 2021 年 H1 的 49.9%，襯 底良率由 2018 年 72.6%上升到 2021 年 H1 的 75.5%。同時，公司其 他業務收入占比也由 2018 年的 37.6%降至 2021 年 H1 的 22.1%，其 他業務收入主要為晶棒和不合格襯底，該數據也表明公司產品不合格率 在下降。

核心設備長晶爐實現 100%國產替代，單位成本中設備折舊費降低。折 舊費用占主營業務成本比例下降由 2018 年的 52.6%下降至 2021 年 H1 的 30.1%，系擴產中大量購買國產長晶爐設備，帶來單位成本的機 器折舊費下降。長晶爐設備作為 SiC 晶體制備的載體，需要為高質量 晶體的生長提供適合的熱場實現條件，是晶體生長中的核心設備，目前 北方華創為公司持續提供長晶爐，單價低于國外進口長晶爐，自 2019 年開始公司新采購的長晶爐已實現 100%國產化，核心設備自主可控。

產能快速增加，規模效應凸顯。長晶爐作為長晶環節的核心設備，其設 備數量及臺均產能是公司產能的重要制約因素。截至 2021 年 H1，公 司擁有長晶爐 584 臺，設備數量逐年增長。受益于技術提升，晶體生 長周期縮短，長晶爐產能臺均產能由 2018 年的 78 片/臺增至 2020 年 的 111 片/臺。基于此，公司產能持續增加，由 2018 年的 1.2 萬片/年 增至 2020 年 4.8 萬片/年，產能增加帶來規模效應，降低了單位襯底成 本。

半絕緣型 SiC 襯底產品已進入全球第一梯隊。公司目前主營業務收入 主要來自半絕緣型襯底收入，由于寬禁帶半導體尤其是氮化鎵射頻器件 具備軍事用途，國外對中國實行了嚴格的技術禁運和封鎖，國內必須實 現產業鏈自主可控。在下游企業的支持下，國產廠商不斷發展自身實力， 加快進口替代步伐。目前公司半絕緣型 SiC 襯底產品已進入全球第一 梯隊，與海外龍頭廠商搶占份額。根據 yole 統計，2019 及 2020 年公 司在半絕緣型 SiC 襯底市場已經躋身全球前三，僅次于 wolfspeed 和貳 陸。

半絕緣型 SiC 襯底產品性能達到國際先進水平。公司從 2013 年開始研 發 4 英寸半絕緣型 SiC 襯底，2015 年實現量產能力，2017 年開始向下 游行業龍頭客戶 A 發貨驗證，2018 年通過驗證并開始上量，此后公司 拿下大客戶 B，市場份額得到進一步提升。公司順利拿下行業重要客戶， 一方面受益于國產替代的強烈需求，另一方面來自客戶對產品的性能的 認可。SiC 襯底核心參數指標包括直徑、微管密度、多型面積、電阻率 范圍、總厚度變化、彎曲度、翹曲度、表面粗糙度。對半絕緣型襯底而 言電阻率范圍越高越好，對導電型襯底而言則反之，其余指標均是越低 越好。對比公司與科銳、貳陸及天科合達的 6 英寸半絕緣型 SiC 襯底 參數，可以看出微管密度次于貳陸，電阻率范圍次于貳陸但優于科銳， 總厚度變化、彎曲度、翹曲度及表面粗糙度均處于領先地位。綜合來看， 公司產品與行業龍頭不存在明顯差距，產品性能已經處于國內領先、國 際先進的水準。

公司客戶集中度高系行業特性，產品驗證后客戶不會輕易更換供應商。 2018-2020 年公司穩定量產的客戶為客戶 A 和客戶 B，客戶 B 于 2019 年成 為穩定量產客戶，2018-2020 年兩客戶占半絕緣型銷售收入占比合計分別為 89.35%、95.67%和 95.34%。在國內半絕緣型襯底受到禁運的背景下，公 司近年來將有限的產能投入到半絕緣型產品的生產上，以優先滿足半絕緣襯 底的國家戰略需求。該類襯底主要用于制造射頻器件并應用在通信和無線電 探測等領域。我國通信行業屬于高集中度的行業，無線電探測由于常應用于 航空、定位導航，也屬于寡頭壟斷的行業，因此公司客戶集中度高系行業特 性。同時，SiC 襯底整個工藝鏈條生產驗證環節復雜、驗證周期長。下游客 戶一旦通過驗證，更換供應商所需付出的成本高，不會輕易更換。

客戶資源優質且合作關系穩固。公司在國內較早實現了 SiC 襯底的批量供 應，與重要客戶已有長達十年的穩固合作關系。公司與客戶 A 自 2010 年開 始合作研發無線電探測領域產品，2018 年開始批量采購，2020 年客戶 A 已 成為公司第一大客戶。公司與客戶 B 自 2014 年建立合作研發關系，2019 年開始批量采購，2020 年，客戶 B 成為公司第二大客戶。公司與主要客戶 有深厚的歷史合作背景，客戶穩定性高。

氮化鎵射頻器件需求不斷增加，公司半絕緣型碳化硅襯底業務持續受益。 如前文所述，根據 Yole 的預測數據，隨著通信基礎建設和軍事應用的需求 發展，全球 GaN 射頻器件到 2026 年市場規模約為 24 億美元，2020-2026 年 CAGR 為 18%。客戶 A、B 在國防、通信行業中均具備領先地位，未來 對氮化鎵射頻器件的需求將不斷增加，公司半絕緣型碳化硅襯底業務持續受 益。

2.導電型襯底產能大幅提升，擁抱新能源“新藍海”

6 英寸導電型襯底性能優良且與產業深度融合，8 英寸導電型襯底成功 研發。在優先保障半絕緣型襯底供給之余，公司導電型襯底也不斷取得 突破。公司于 2017 年實現 6 寸導電型 SiC 襯底的量產。對比公司與科 銳、貳陸及天科合達的 6 英寸導電型 SiC 襯底參數，可以看出微管密 度、電阻率次于貳陸，總厚度次于天科合達，其他參數與同行相近，綜 合來看，公司產品參數與行業龍頭不存在明顯差距。產品在保證了襯底 低阻值的同時，實現了襯底面內徑向分布的均勻性，利于下游外延獲得方阻均勻的外延層和高導通特性、高一致性的芯片產品，這表明襯底產 品已實現與產業的深度融合。在新產品布局方面，公司正加大 8 英寸導 電型襯底產業化突破，已成功研發 8 英寸 SiC 襯底，量產還需時間。

公司已與導電型襯底客戶建立合作關系，在手訂單充足。公司 6 英寸 導電型產品已經獲得多家國內外知名客戶的驗證通過，22 年開始批量 供應，目前在手訂單充足。公司 2019 年中標國家電網的采購計劃。 2022 年 7 月，公司與客戶簽訂了預計 13.93 億元的長期協議，體現了 客戶對公司產品的信任，該筆訂單也為公司 6 英寸導電型 SiC 襯底的 業 績 提 供 了 有 力 的 支 撐 。2022 年 上 半 年 ， 公 司 通 過 了 車 規 級 IATF16949 體系的認證，為公司產品的在新能源汽車領域的應用提供 了基礎，加快產品在下游應用的滲透。

2026 年導電型襯底年產能將達 30 萬片，擁抱新能源“新藍海”。公司 正加大產能建設，以擴大公司銷售規模，滿足市場需求。公司募投項目 “SiC 半導體材料項目”于 2021 年在上海臨港正式建設，項目主要用 于生產 6 英寸導電型 SiC 襯底材料，預計 2026 年達產后產能將超過 30 萬片/年。截至 2022 年 11 月，項目已經成功封頂，正在進行機電安 裝階段。22 年臨港項目受疫情影響，公司將濟南工廠部分半絕緣產能 調整為 6 英寸導電襯底生產，給客戶小批量供貨，尚不能滿足在手訂單 需求。隨著下游電動汽車、儲能、光伏的快速發展，上海臨港工廠有望 提前達產，帶動導電型襯底營收快速上漲。